Здравствуйте!
Мне необходимо рассчитать структуру LDMOS-транзистора с плавающими Al- и Mo- кольцами (см. приложенный рисунок). Итого 7 молибденовых и 6 алюминиевых колец. Структура достаточно объёмная: 350 мкм на 460 мкм (2D), расчетная сетка, получаемая в MESH, содержит порядка сотни тысяч точек. Расчёт электрофизических характеристик провожу в DESSIS.
Проблема заключается в том, что решение DESSIS не сходится практически сразу после запуска, то есть напряжение доходит до сотых-тысячных долей вольта (а желательно рассчитать до 1500 В).
Был рассмотрен пример расчета плавающих областей из ExampleLibrary (
"3.5.2 Breakdown simulation of diode with floating rings and
parameterized field plates"), попытался применить те же приёмы к своей структуре: обозначение каждого плавающего кольца в качестве контакта (Voltage=0, current=0 - в разделе Electrode DESSIS), наложение поверх всей структуры толстого слоя изолятора Insulator с относительной диэлектрической проницаемостью=1 (эмуляция воздуха), прикладывание напряжения не напрямую к стоку транзистора, а через резистор большого номинала (в руководстве exampleslibrary.pdf к этому данному примеру сказано, что такой подход увеличивает сходимость расчета). В общем, ничего не помогло.
Подскажите, пожалуйста, какую лучше назначить сетку в MESH для расчета в DESSIS (в каких местах её целесообразно сделать более точной), сталкивался ли кто-нибудь с расчетами плавающих областей (диффузионных/недиффузионных)? Возможно ли рассчитать в TCAD данной версии такую большую структуру (сужу относительно "родных" примеров)?
Заранее большое спасибо!
p.s. Работаю в ISE TCAD 10.0, FLOOPS-MESH-DESSIS, испытывал на Red Hat 3, Mandriva 08-09, OpenSUSE 11.1.
На картинке присутствуют два контакта (слева) - контакт к n+-истоку и p-подслою и 4 плавающих кольца (2 молибденовых и 2 алюминиевых). Через соответствующее число колец справа расположен контакт к стоку, к которому относительно истока (Vs=0) прикладывается напряжение (Vd=0-1500 В)
Сообщение отредактировал Анатолий_И3К - Mar 5 2009, 12:45