реклама на сайте
подробности

 
 
2 страниц V   1 2 >  
Reply to this topicStart new topic
AVDEY
сообщение Nov 3 2009, 20:17
Сообщение #1





Группа: Участник
Сообщений: 5
Регистрация: 15-09-08
Пользователь №: 40 216



Два вечера сижу в нете и не могу понять, что такое рассеиваемая мощность транзистора (Ptot,Pd, Total Disspation).
Есть, например, реле (докуменирование параметры V=5v, I=80mA, P=400mW) и если посчитать по формуле P=5*0.08=0.4W. Здесь все понятно.
А транзистор, Ток колектора Ic Collector Curent - Continuous 1.2A, VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 45 V, VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 50 V, PD Total Device Dissipation 350mW Derate above 25°C 2.8 mW/°C.
Как понять "рассеиваемая мощность", как она рассчитываться, на что влияет, и можно ли использовать такой транзистор для включения такого реле?
Заранее всем спасибо.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
EUrry
сообщение Nov 3 2009, 20:41
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 218
Регистрация: 14-11-06
Из: Н. Новгород
Пользователь №: 22 312



Что понятно? Что в Вашем реле означает 400 мВт? Мощность рассеяния? Так это же не плитка! В транзисторе то же самое - падение напряжения на переходе к-э открытого транзистора малО и поэтому умножать ток коллектора надо не на 45 В (максимальное напряжение на переходе к-э закрытого транзистора, не приводящее к пробою). А если Вам нужно Р = 1,2*45, то берите нихромомую проволоку!!! biggrin.gif

P. S. А вообще здесь такие вопросы даже в разделе для начинающих не катят и ни за что не поверю, что в сети нет мощности раcсеяния транзисторов!


--------------------
Все не могут только сеять разумное, доброе, вечное: кому-то надо и пахать!
Природа не терпит пустоты: там, где люди не знают правды, они заполняют пробелы домыслом. © Бернард Шоу
Go to the top of the page
 
+Quote Post
СветLANa
сообщение Nov 3 2009, 20:55
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 111
Регистрация: 11-07-09
Из: Россия
Пользователь №: 51 144



Цитата
Мощность транзистора - что это

Сходите на форум РадиоКот, это как раз для самых-самых начинающих электронщиков... rolleyes.gif
Там очень популярно объяснят, что это такое и как считать.


--------------------
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение
(Бенедикт Спиноза)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
mempfis_
сообщение Nov 4 2009, 10:52
Сообщение #4


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 001
Регистрация: 27-06-06
Пользователь №: 18 409



Цитата(AVDEY @ Nov 4 2009, 00:17) *
Как понять "рассеиваемая мощность", как она рассчитываться, на что влияет, и можно ли использовать такой транзистор для включения такого реле?
Заранее всем спасибо.


Через коллектор транзистора в процессе работы протекает ток, а между эммитером и коллектором падает напряжение. Произведение этого тока на это напряжение можно считать мощностью рассеиваемой на транзисторе. В вашем случае транзистор работает в ключевом режиме. Предположим на нём будет падать 1 вольт (а реально будет несколько 10 мВ можете сами замерять тестером) и протекает ток удержания реле скажем 80 мА. Значит мощность на транзисторе составит 1*0.08=80 мВт. По паспорту рассеиваемая транзистором мощность 300 мВт - значит такой транзистор сможет работать без радиатора с вашим реле.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
demiurg_spb
сообщение Nov 4 2009, 11:20
Сообщение #5


неотягощённый злом
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 746
Регистрация: 31-01-08
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 34 643



При работе транзистора в ключевом режиме на достаточно высоких частотах, фактором, определяющим величину тепловых потерь, является время переключения транзистора. Эти потери пропорциональны квадрату частоты коммутации.
Для облегчения понимания сути представьте себе идеализированную картину:
1. Транзистор закрыт - ток не течёт - нет потер.
2. Транзистор открыт - падение напряжения на переходе мало (для полевика сопротивление перехода мало) - тоже "нет потерь".
Время смены состояния транзистора из п1 в п2 и обратно не равно нулю - тогда и происходит всё самое интересное.
Транзистор полузакрыт или полуоткрыт, ток уже течёт, а сопротивление далеко от нуля...


--------------------
“Будьте внимательны к своим мыслям - они начало поступков” (Лао-Цзы)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AVDEY
сообщение Nov 4 2009, 18:29
Сообщение #6





Группа: Участник
Сообщений: 5
Регистрация: 15-09-08
Пользователь №: 40 216



Спасибо за ответы.
Какое тогда рабочее напряжение ели 45V напряжение пробоя?
Как рассчитать падение напряжения на транзисторе?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Designer56
сообщение Nov 4 2009, 18:46
Сообщение #7


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 932
Регистрация: 13-10-06
Из: Уфа
Пользователь №: 21 290



Цитата(AVDEY @ Nov 4 2009, 23:29) *
Спасибо за ответы.
Какое тогда рабочее напряжение ели 45V напряжение пробоя?
Как рассчитать падение напряжения на транзисторе?

Обычно по канонам надежности рабочее напряжение на коллекторе выбирают так, чтобы оно при всех неблагоприятных факторах не превышало 70% от предельно- допустимого напряжения коллектор- эмиттер для данного типа транзистора. Предельно допустимое изготовителем гарантируется всегда меньшее, чем напряжение пробоя. Берите 2-й запас- не ошибетесь. Падение напряжения в состоянии насыщения приводится в ТУ, спецификациях и т.п. обычно в виде графиков, в зависимости от тока коллектора и коэффициента насыщения транзистора.


--------------------
"...Дьяволу ведомо многое не потому, что он- Дьявол, а потому, что он стар..."
Go to the top of the page
 
+Quote Post
XVR
сообщение Nov 5 2009, 08:01
Сообщение #8


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 123
Регистрация: 7-04-07
Из: Химки
Пользователь №: 26 847



Цитата(AVDEY @ Nov 4 2009, 21:29) *
Как рассчитать падение напряжения на транзисторе?
По русски этот параметр называется 'напряжение насыщения КЭ', в даташите на транзистор будет называться как то так 'VCEsat' (V CE saturation)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Microwatt
сообщение Nov 5 2009, 11:04
Сообщение #9


Гуру
******

Группа: Почетный участник
Сообщений: 6 851
Регистрация: 25-08-08
Из: Запорожье
Пользователь №: 39 802



А разве транзистор всегда в одном только состоянии - насыщенном?
Стартеру с ТОЭ нужно начать. Транзисторы - забегание вперед на пару лет.

Сообщение отредактировал Microwatt - Nov 5 2009, 11:04
Go to the top of the page
 
+Quote Post
XVR
сообщение Nov 5 2009, 13:03
Сообщение #10


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 123
Регистрация: 7-04-07
Из: Химки
Пользователь №: 26 847



Цитата(Microwatt @ Nov 5 2009, 14:04) *
А разве транзистор всегда в одном только состоянии - насыщенном?
Судя по его начальному вопросу:
Цитата
Как понять "рассеиваемая мощность", как она рассчитываться, на что влияет, и можно ли использовать такой транзистор для включения такого реле?
его должно интересовать в первую очередь именно это
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AVDEY
сообщение Nov 7 2009, 18:42
Сообщение #11





Группа: Участник
Сообщений: 5
Регистрация: 15-09-08
Пользователь №: 40 216



На даном этапе меня действительно интересует только параметры транзистора в насыщенном состоянии, но я бы хотел узнать и как рассчитать рассеиваемую мощность транзистора например для ШИМ контроллера или регулируемого БП.
Вот минимальная схема включения транзистора, помогите разобраться с вычислением всех нужных параметров.
Прикрепленный файл  shem.bmp ( 15.39 килобайт ) Кол-во скачиваний: 134

Ток базы, на сколько я понимаю, IB=U/R=5/300=0,016A.
Ток потребления нагрузки 5/50=0,1A.
Как вычислить рассеиваемую мощность в таком случае?
Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V, соответственно падение напряжения будет 2,5V то мощность рассеиваемая мощность P=2,5*0,1=0,25W. Или єто не так?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
XVR
сообщение Nov 8 2009, 08:04
Сообщение #12


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 123
Регистрация: 7-04-07
Из: Химки
Пользователь №: 26 847



Цитата
Как вычислить рассеиваемую мощность в таком случае?

1. Убедится что транзистор находится в насыщении: Ib*h21 >>> Ic (16ma * 100 (hFE1) = 1.6A >>> 0.1A)
2. Pс = Vce (sat) * Ic = 0.7*0.1 = 70mW; Pb = Ib*Vbe on = 16ma*1.2V = 19.2mW; P = Pc+Pb = 89.2mW (P max = 310mW - Ok)
3. Нагрев тр-ра: dT = P*Qja = 0.0892*190 = 17 C; T = dT+Tamb = 17+25 = 42 C (Tj max = 150 C - Ok)
[attachment=37986:BC_BC817.pdf][attachment=37987:SOT23.pdf]
NB. >>> означает 'много больше'

Цитата
Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V,
Этого не понял - биполярный транзистор управляется током, т.е. закачивать ему что то в базу через делители не имеет смысла.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AVDEY
сообщение Nov 8 2009, 14:46
Сообщение #13





Группа: Участник
Сообщений: 5
Регистрация: 15-09-08
Пользователь №: 40 216



"Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V"
Я имел ввиду ели использовать транзистор, например, так:
Прикрепленный файл  shem.bmp ( 15.39 килобайт ) Кол-во скачиваний: 96

"2. Pс = Vce (sat) * Ic = 0.7*0.1 = 70mW;"
Но разве в ДШ не сказано, что 0,7V єто падение напряжения при токе IC=0,5A а IB=50mA,
а 1,2V ето при напряжении эмиттер коллектор VCE=1V, и при токе коллектора 0,3A.
Допустим если реальные значения меньше, то ничего страшного, а если IB=80mA, IC=0,7A, VCE=5V тогда что?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
EUrry
сообщение Nov 8 2009, 15:37
Сообщение #14


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 218
Регистрация: 14-11-06
Из: Н. Новгород
Пользователь №: 22 312



Цитата(AVDEY @ Nov 8 2009, 17:46) *
Но разве в ДШ не сказано, что 0,7V єто падение напряжения при токе I...

0,7 В это примерно пороговое напряжение отпирание кремниевого перехода. Это минимальное падение напряжение на переходе, когда он находится в открытом состоянии. При увеличении тока через переход падение напряжения на нем увеличивается не намного (см. входные ВАХ транзистора). Зависимость от тока коллектора есть, но очень небольшая. Посмотрите название коэффициента β. Про напряжение там ни слова. Тем более Вам нужно падение напряжения на на эмиттерном переходе, а на к-э.


--------------------
Все не могут только сеять разумное, доброе, вечное: кому-то надо и пахать!
Природа не терпит пустоты: там, где люди не знают правды, они заполняют пробелы домыслом. © Бернард Шоу
Go to the top of the page
 
+Quote Post
XVR
сообщение Nov 9 2009, 08:11
Сообщение #15


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 123
Регистрация: 7-04-07
Из: Химки
Пользователь №: 26 847



Цитата(AVDEY @ Nov 8 2009, 17:46) *
"Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V"
Я имел ввиду ели использовать транзистор, например, так:
Прикрепленный файл  shem.bmp ( 15.39 килобайт ) Кол-во скачиваний: 96
Делителя не получится. Верхняя половина переменного резистора будет зашунтированна прямосмещенным базовым переходом, а ток базы будет в основном определяться нижней половиной резистора

Цитата
"2. Pс = Vce (sat) * Ic = 0.7*0.1 = 70mW;"
Но разве в ДШ не сказано, что 0,7V єто падение напряжения при токе IC=0,5A а IB=50mA,
Падение напряжения коллектор-эмиттер мало зависит от от тока коллектора, но если вам хочется точности, то см. рисунок 3 в даташите, при вашем токе это будет 50mV (что еще меньше, чем 0.7V)
Цитата
а 1,2V ето при напряжении эмиттер коллектор VCE=1V, и при токе коллектора 0,3A.
Смотрите рисунок 4 (это будет 0.9V в наихудшем случае)
Цитата
Допустим если реальные значения меньше, то ничего страшного, а если IB=80mA, IC=0,7A, VCE=5V тогда что?

При Vce 5V транзистор просто испарится, это явно не состояние насыщения rolleyes.gif Ib делать 80mA нет никакого смысла - все уйдет в тепло (возьмите ее как Ic/hFE1*2 = 4mA). А рассеиваемая мощность в основном определяется Ic. Vce sat можете смело брать 0.7V, получите оценку сверху.

Сообщение отредактировал XVR - Nov 9 2009, 08:11
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V   1 2 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 6th July 2025 - 14:40
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.02883 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016