|
Мощность транзистора, Мощность транзистора - что это, и на что влияет? |
|
|
|
Nov 3 2009, 20:17
|
Группа: Участник
Сообщений: 5
Регистрация: 15-09-08
Пользователь №: 40 216

|
Два вечера сижу в нете и не могу понять, что такое рассеиваемая мощность транзистора (Ptot,Pd, Total Disspation). Есть, например, реле (докуменирование параметры V=5v, I=80mA, P=400mW) и если посчитать по формуле P=5*0.08=0.4W. Здесь все понятно. А транзистор, Ток колектора Ic Collector Curent - Continuous 1.2A, VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 45 V, VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 50 V, PD Total Device Dissipation 350mW Derate above 25°C 2.8 mW/°C. Как понять "рассеиваемая мощность", как она рассчитываться, на что влияет, и можно ли использовать такой транзистор для включения такого реле? Заранее всем спасибо.
|
|
|
|
|
Nov 3 2009, 20:55
|

Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 111
Регистрация: 11-07-09
Из: Россия
Пользователь №: 51 144

|
Цитата Мощность транзистора - что это Сходите на форум РадиоКот, это как раз для самых-самых начинающих электронщиков... Там очень популярно объяснят, что это такое и как считать.
--------------------
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение (Бенедикт Спиноза)
|
|
|
|
|
Nov 4 2009, 18:29
|
Группа: Участник
Сообщений: 5
Регистрация: 15-09-08
Пользователь №: 40 216

|
Спасибо за ответы. Какое тогда рабочее напряжение ели 45V напряжение пробоя? Как рассчитать падение напряжения на транзисторе?
|
|
|
|
|
Nov 5 2009, 13:03
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 123
Регистрация: 7-04-07
Из: Химки
Пользователь №: 26 847

|
Цитата(Microwatt @ Nov 5 2009, 14:04)  А разве транзистор всегда в одном только состоянии - насыщенном? Судя по его начальному вопросу: Цитата Как понять "рассеиваемая мощность", как она рассчитываться, на что влияет, и можно ли использовать такой транзистор для включения такого реле? его должно интересовать в первую очередь именно это
|
|
|
|
|
Nov 7 2009, 18:42
|
Группа: Участник
Сообщений: 5
Регистрация: 15-09-08
Пользователь №: 40 216

|
На даном этапе меня действительно интересует только параметры транзистора в насыщенном состоянии, но я бы хотел узнать и как рассчитать рассеиваемую мощность транзистора например для ШИМ контроллера или регулируемого БП. Вот минимальная схема включения транзистора, помогите разобраться с вычислением всех нужных параметров.
shem.bmp ( 15.39 килобайт )
Кол-во скачиваний: 134Ток базы, на сколько я понимаю, I B=U/R=5/300=0,016A. Ток потребления нагрузки 5/50=0,1A. Как вычислить рассеиваемую мощность в таком случае? Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V, соответственно падение напряжения будет 2,5V то мощность рассеиваемая мощность P=2,5*0,1=0,25W. Или єто не так?
|
|
|
|
|
Nov 8 2009, 08:04
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 123
Регистрация: 7-04-07
Из: Химки
Пользователь №: 26 847

|
Цитата Как вычислить рассеиваемую мощность в таком случае? 1. Убедится что транзистор находится в насыщении: Ib*h21 >>> Ic (16ma * 100 (hFE1) = 1.6A >>> 0.1A) 2. Pс = Vce (sat) * Ic = 0.7*0.1 = 70mW; Pb = Ib*Vbe on = 16ma*1.2V = 19.2mW; P = Pc+Pb = 89.2mW (P max = 310mW - Ok) 3. Нагрев тр-ра: dT = P*Qja = 0.0892*190 = 17 C; T = dT+Tamb = 17+25 = 42 C (Tj max = 150 C - Ok) [attachment=37986:BC_BC817.pdf][attachment=37987:SOT23.pdf] NB. >>> означает 'много больше' Цитата Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V, Этого не понял - биполярный транзистор управляется током, т.е. закачивать ему что то в базу через делители не имеет смысла.
|
|
|
|
|
Nov 8 2009, 14:46
|
Группа: Участник
Сообщений: 5
Регистрация: 15-09-08
Пользователь №: 40 216

|
"Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V" Я имел ввиду ели использовать транзистор, например, так:
shem.bmp ( 15.39 килобайт )
Кол-во скачиваний: 96"2. Pс = Vce (sat) * Ic = 0.7*0.1 = 70mW;" Но разве в ДШ не сказано, что 0,7V єто падение напряжения при токе I C=0,5A а I B=50mA, а 1,2V ето при напряжении эмиттер коллектор V CE=1V, и при токе коллектора 0,3A. Допустим если реальные значения меньше, то ничего страшного, а если I B=80mA, I C=0,7A, V CE=5V тогда что?
|
|
|
|
|
Nov 8 2009, 15:37
|

Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 218
Регистрация: 14-11-06
Из: Н. Новгород
Пользователь №: 22 312

|
Цитата(AVDEY @ Nov 8 2009, 17:46)  Но разве в ДШ не сказано, что 0,7V єто падение напряжения при токе I... 0,7 В это примерно пороговое напряжение отпирание кремниевого перехода. Это минимальное падение напряжение на переходе, когда он находится в открытом состоянии. При увеличении тока через переход падение напряжения на нем увеличивается не намного (см. входные ВАХ транзистора). Зависимость от тока коллектора есть, но очень небольшая. Посмотрите название коэффициента β. Про напряжение там ни слова. Тем более Вам нужно падение напряжения на на эмиттерном переходе, а на к-э.
--------------------
Все не могут только сеять разумное, доброе, вечное: кому-то надо и пахать! Природа не терпит пустоты: там, где люди не знают правды, они заполняют пробелы домыслом. © Бернард Шоу
|
|
|
|
|
Nov 9 2009, 08:11
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 123
Регистрация: 7-04-07
Из: Химки
Пользователь №: 26 847

|
Цитата(AVDEY @ Nov 8 2009, 17:46)  "Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V" Я имел ввиду ели использовать транзистор, например, так:
shem.bmp ( 15.39 килобайт )
Кол-во скачиваний: 96Делителя не получится. Верхняя половина переменного резистора будет зашунтированна прямосмещенным базовым переходом, а ток базы будет в основном определяться нижней половиной резистора Цитата "2. Pс = Vce (sat) * Ic = 0.7*0.1 = 70mW;" Но разве в ДШ не сказано, что 0,7V єто падение напряжения при токе IC=0,5A а IB=50mA, Падение напряжения коллектор-эмиттер мало зависит от от тока коллектора, но если вам хочется точности, то см. рисунок 3 в даташите, при вашем токе это будет 50mV (что еще меньше, чем 0.7V) Цитата а 1,2V ето при напряжении эмиттер коллектор VCE=1V, и при токе коллектора 0,3A. Смотрите рисунок 4 (это будет 0.9V в наихудшем случае) Цитата Допустим если реальные значения меньше, то ничего страшного, а если IB=80mA, IC=0,7A, VCE=5V тогда что? При Vce 5V транзистор просто испарится, это явно не состояние насыщения  Ib делать 80mA нет никакого смысла - все уйдет в тепло (возьмите ее как Ic/hFE1*2 = 4mA). А рассеиваемая мощность в основном определяется Ic. Vce sat можете смело брать 0.7V, получите оценку сверху.
Сообщение отредактировал XVR - Nov 9 2009, 08:11
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|