Эмиттерный повторитель, Теоретический вопрос. Опции

[131959G]

Очень часто простые вопросы меня ставят в тупик.
Вот вопрос:
Может ли транзистор в схеме простейшего каскада с ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ в виде эмиттерного повторителя оказаться в режиме НАСЫЩЕНИЯ????
Если ДА, то как его завести в такой режим?
Если НЕТ, то почему НЕТ?

[GetSmart]

Может. Когда потенциал на базе становится больше потенциала коллектора. Такое может происходить, но обычно в нестандартных схемах. Я такую фичу как-то делал для ключевого каскада, который одновременно являлся усилителем тока и входил в глубокое насыщение когда на его выходе было +Vcc, но при этом в схеме должна быть напруга ещё выше +Vcc.
В другом случае не нужна напруга выше +Vcc, можно ёмкостью/электролитом временно (для переменного тока/напряжения) ввести ОК в насыщение, когда ёмкость подключена к базе ОК.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 27 2009, 17:06

[131959G]

GetSmart
Спасибо за ответ.
Вот только сочетание "ключевого каскада" с эмиттерным повторителем несколько не в тему.
То, что можно завести схему в состояние когда оба перехода транзистора будут смещены прямо - это понятно, НО достаточно ли этого чтобы сказать "транзистор эмиттерного повторителя оказался в режиме насыщения".
Мне кажется, если увеличивать ток в базу, подавая на вход напряжение скажем через ограничивающий резистор от источника с напряжением больше питания повторителя, то ток коллектора начнет УМЕНЬШАТЬСЯ и это меня смущает. Или я не прав про ток коллектора?

Добавил:
Если разрешите, давайте пока БЕЗ ЭЛЕКТРОЛИТОВ!

Сообщение отредактировал 131959G - Nov 27 2009, 17:15

[GetSmart]

Ключевой каскад как раз с резистором в базе. Когда нагрузка слабая или её нет, то ессно оба перехода будут прямосмещёнными. Но фича в том, что гарантируется, что эмиттер не поднимется выше коллектора, т.к. лишний ток базы уйдёт в +Vcc. А когда на выходе есть нагрузка и её ток выше тока (например на порядок, но вообще от 1 до h21э раза выше), создаваемого базовым резистором, то коллектор будет обратносмещён и при этом ток будет усилен как и полагается эмиттерному усилителю. При этом транзистор при (правильном расчёте) может быть в глубоком насыщении, в зависимости от транзистора и нагрузки это может быть 0.1 вольт и даже меньше.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 27 2009, 17:28

[Microwatt]

запросто
соберите МАКЕТ и проверьте.
Повышая постепенно напряжение на базе, будем видеть работу повторителя в привычном режиме.
Как только напряжение на базе начнет превышать коллекторное (хоть на десятки милливольт), начнется рост тока базы, а напряжение коллектор-эмиттер будет быстро падать.
В конце, все потечет в базу, а потенциал коллектор-эмиттер будет даже не то, что мы называем насыщением, это будет аналоговый ключ с падением в 20-40милливольт. Может и меньше.
Раньше, до полевиков, аналоговые ключи так и делали.
Мощность управления, правда, нужна в бета раз больше, чем мощность коммутируемого сигнала.

[domowoj]

Уважаемый Microwatt,
с миливольтами намудрииил.
Меньше чем прописано в даташите напр. насыщения быть не может.

[SM]

то ток коллектора начнет УМЕНЬШАТЬСЯ и это меня смущает. Или я не прав про ток коллектора?

Про ток коллектора правы. Но есть одна мелочь - состояние насыщения у транзистора определяется не током коллектора, а состоянием его переходов. И то, что ток коллектора будет падать, никак не мешает транзистору насытиться. Более того, даже помогает.

Меньше чем прописано в даташите напр. насыщения быть не может.

Может, еще как может. При указанном в даташите токе - да. А при меньших токах - легко. Посчитайте например, если напряжение насыщения по даташиту при Iк = 1А будет 0.1 вольт, то сколько будет оно при Iк=1мка.

[GetSmart]

Кстати, выражение "ток коллектора будет падать" не совсем точное выражение. Будет падать коэфф. усиления тока, то есть при входе в режим насыщения ток коллектора будет даже немного увеличиваться при резистивной нагрузке, а вот ток базы начнёт значительно увеличиваться. Но ситуация абсолютно аналогичная насыщению с ОЭ например. Там тоже при входе транзистора в насыщение ток базы увеличивается. Хотя в реальных схемах ток базы ессно не увеличивается, его всегда просчитывают с запасом для наихудшего случая. Короче, насыщение и свойства транзистора в режиме насыщения для ОК и ОЭ очень похожи.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 27 2009, 18:20

[domowoj]

В эмиттерном повторителе (в нормальном реж.) не ток коллектора определяется
током базы, а ток базы зависит от тока эмиттера

[GetSmart]

В эмиттерном повторителе (в нормальном реж.) не ток коллектора определяется
током базы, а ток базы зависит от тока эмиттера

При h21э=100 ошибка в 1% не принципиальна, 5% допуск резисторов куда хуже.

[domowoj]

При h21э=100 ошибка в 1% не принципиальна, 5% допуск резисторов куда хуже.

Не понял???!

[GetSmart]

На уровне детского сада:
Ток эмиттера = ток базы + ток коллектора. В линейном режиме ток базы = 1/h21э тока эмиттера. Соотвественно ток коллектора отличается от тока эмиттера всего на 1% при h21э=100.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 27 2009, 18:40

[domowoj]

На уровне детского сада:
Ток эмиттера = ток базы + ток коллектора. В линейном режиме ток базы = 1/h21э тока эмиттера. Соотвественно ток коллектора отличается от тока эмиттера всего на 1% при h21э=100.

Вы не поняли!
В бАзу не потечет ток больше, чем ток коллектора/h21

[GetSmart]

Вы не поняли!
В бАзу не потечет ток больше, чем ток коллектора/h21

Из того поста (относительно предыдущих постов) это действительно не понять. В предыдущих постах речь шла о режиме насыщения, а этот пост о линейном режиме. Ну и причём тут это?
Тем более, в том посте привлекает внимание именно противопосталение токов коллектора и эмиттера.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 27 2009, 18:55

[Herz]

В эмиттерном повторителе (в нормальном реж.) не ток коллектора определяется
током базы, а ток базы зависит от тока эмиттера

Смелое заявление.

Вы не поняли!
В бАзу не потечет ток больше, чем ток коллектора/h21

А это и вообще неверно.