Группа: Участник
Сообщений: 6
Регистрация: 17-11-09
Пользователь №: 53 678

|
Доброго всем времени суток!
Я только недавно начал осваивать SwitchCad. B при моделировании прогаммы (текст программы приведен ниже) начинается "Pseudo-Transient Analysis". Кто может объяснить что именно он делает при этом анализе и почему так долго моделирует? Даже есть отключить этот анлиз с помощью директив, то считает он все равно медленно. Что можно сделать что бы LTspice считал быстрей? Хотя если запустить эту схему на счет в PSpice, то Pspice считает практически мгновенно. За помощь заранее благодарен!
I1 0 1 3 X1 1 2 0 4 5 SPP11N60C3 R1 2 6 10 Vg 6 0 pulse(13 0 0 100n 100n 2.5u 5u) X2 1 7 0 8 5 SPP11N60C3 R2 7 6 10 Rj1 4 0 1k Rj2 8 0 1k Vc 5 0 dc 25 X3 1 9 HFA25TB60 Vs 9 0 dc 380
**************** .SUBCKT SPP11N60C3 drain gate source Tj Tcase PARAMS: dVth=0 dRdson=0 Zthtype=0 .PARAM Rs=1m Rg=860m Ls=7n Ld=3n Lg=7n .PARAM act=10.16 Inn=11 Unn=10 Rmax=380m .PARAM lzth={limit(Zthtype,0,1)} X1 dd g s Tj 1 cool_600_c_var PARAMS: act={act} dVth={dVth} dR={dRdson} Inn={Inn} Unn={Unn} +Rmax={Rmax} Rs={Rs} heat=1 L_Ld drain dd {Ld} R_Ld drain dd 10 L_Ls source lsrs {Ls} R_Ls source lsrs 10 R_Rs s lsrs {Rs} L_Lg gate lgrg {Lg} R_Lg gate lgrg 10 R_Rg lgrg g {Rg} C_CZth1 Tj 0 97.739u C_CZth2 0 1 589.388u C_CZth3 0 2 832.077u C_CZth4 0 3 4.73m C_CZth5 0 4 11.546m C_CZth6 0 Tcase 140m C_CZth7 0 6 500m C_CZth8 0 7 450m R_Rth1 Tj 1 {16.69m+lzth*4.33m} R_Rth2 1 2 {23.03m+lzth*5.97m} R_Rth3 2 3 {129.21m+lzth*33.5m} R_Rth4 3 4 {187.32m+lzth*211.81m} R_Rth5 4 Tcase {182.56m+lzth*205.59m} R_Rth6 Tcase 6 400m R_Rth7 6 7 15.8 .ENDS *********************************** .SUBCKT cool_600_c_var dd g s Tj t1 PARAMS: act=1 dVth=0 dR=0 Inn=1u Unn=10 Rmax=1 Rs=1u heat=1
*control parameter: 1 if diode should store charge, 0 otherwise .PARAM enable_diode=1 .PARAM w0={1p+SQRT(act)*1.5p} w1={244p*act} w2={42p*act} x1=-1.6 x2=-117m Uoff=0.25 y1={exp(Uoff*x1)} .PARAM w3={200p*act} w4={56p*act} w5={200p*act} x3=-83.4m x4=0.5 x5=2 x6=1 x7=1 .PARAM Cgs={125p*act} Cox={w0+w1+w2} .PARAM k14=-2 delta=1
.PARAM L=2u g2=57.5m theta=90m c=1.05 .PARAM Vth0=3.7 T=300 Tref=273 auth=5m .PARAM aubr=600m Ibr=100p Ubr=600 coxi=431.4u .PARAM Un=98.32u Utnbr=207m W={170m*act} nsub=5 .PARAM g11=2.4 g16=-27.93 ta=1u td=110n .PARAM al=1 Rd0={2.89/act} Rd1={96.9m/act} Uc=12.5 .PARAM kbq=85.8u lnBr=-29 .PARAM wcml={W*coxi*g2/L}
.PARAM Vmin={if(act<1,3,2.8)} Vmax={if(act<1,3.7,3.9)} .PARAM Vth={Vth0+(Vmax-Vth0)*limit(dVth,0,1)-(Vmin-Vth0)*limit(dVth,-1,0)} .PARAM p1={Unn-Inn*Rs-Vth0} .PARAM p2={(((p1-SQRT(p1**2-4*c/wcml*Inn*(1+theta*p1)))/c*al+1)**2-1)/(4*al)} .PARAM p3={Uc/(2*(Inn*(Inn*(Rmax-Rs)-p2)))} .PARAM Rlim={p3*(-Uc+SQRT(Uc**2+4*(Rmax*Inn)**2-8*Rmax*Inn*(Inn*Rs+p2)+(2*p2+2*Inn*Rs)**2))} .PARAM dRd={Rd0+if(dVth==0,limit(dR,0,1)*max(Rlim-Rd0,0),0)}
.FUNC I0(Uee,p,pp,z1) {if(Uee>pp,(Uee-c*z1)*z1,p*(pp-p)/c*exp((Uee-pp)/p))} .FUNC I2(Uds,p,Uee,z1,Tjx) {(wcml/(1+theta*Uee)*(T/Tjx)**1.5)*I0(Uee,p,min(2*p,p+c*Uds),z1)} .FUNC Ig(Uds,Ugs,Tjx,p) {I2(Uds,p,Ugs-Vth+auth*(Tjx-T),min(Uds,(Ugs-Vth+auth*(Tjx-T))/(2*c)),Tjx)} .FUNC Idbr(Uds,Tjx) {act*exp(min(lnBr+(Uds-UBr-aubr*(Tjx-T))/UTnbr,23))} .FUNC Iges(Uds,Ugs,Tjx) {sgn(Uds)*Ig((SQRT(1+4*al*abs(Uds))-1)/2/al,Ugs,Tjx,nsub*kbq*Tjx)}
.FUNC Is(Tjx) {exp(min(g16+(Tjx/T-1)*(1.12/(Un*Tjx)),23))*(Tjx/T)**1.5} .FUNC Ird(Usd,Tjx) {act*(-Is(Tjx)+exp(min(log(Is(Tjx))+Usd/(Un*Tjx),23)))}
G_G1 d s VALUE={Iges(V(d,s),V(g,s),Tref+limit(V(Tj),-200,999))} R1 g s 1G Rd01 d s 500Meg
G_G_Rd ldrd d VALUE {V(ldrd,d)/((dRd*0.5*(1+SQRT(1+4*(max(V(ldrd,d),0)/Uc)**2)))*((Tref+LIMIT(V(t1),-200,999))/T)**g11)} R_R_ERd_g ldrd d 10k
G_Rdiod ldrd dio2 VALUE {V(ldrd,dio2)/(Rd1*((Tref+LIMIT(V(t1),-200,999))/T)**1.5)} R_Rdiod ldrd dio 500Meg V_sense dio dio2 0
G_diode s dio VALUE={Ird(V(s,dio),Tref+LIMIT(V(t1),-200,999))} Rd02 s dio2 500Meg G_diode2 s dio2 VALUE={LIMIT(I(V_sense2),-1k,1k)-Idbr(V(dio2,s),Tref+LIMIT(V(t1),-200,999))}
C_pack dd g {w0} E_Edg1 d ox1 VALUE {V(d,g)-((exp(min((V(d,g)+Uoff)*x1,0))-y1)/x1+min((V(d,g)+Uoff),0))} C_Cdg1 ox1 g {w1} E_Edg2 d ox2 VALUE {V(d,g)-((exp(min(V(d,g)*x2,0))-1)/x2+min(V(d,g),0))} C_Cdg2 ox2 g {w2}
E_Eds1 dio2 dEQJ1 VALUE {V(dio2,s)-(exp(min(V(dio2,s)*x3,0))-1)/x3+min(V(dio2,s),0)} C_Cds1 s dEQJ1 {w3} E_Eds2 d dEQJ2 VALUE {V(d,s)-2*(SQRT(x6*limit(x6+V(d,s),0,2*UBr))-x6)} C_Cds2 s dEQJ2 {w4} E_Eds3 dio2 dEQJ3 VALUE {V(dio2,s)-1/(1-x5)*(x7**x5*limit(x7+V(dio2,s),0,2*UBr)**(1-x5)-x7)} C_Cds3 s dEQJ3 {w5}
E_Egs g sm VALUE {(0.5*((V(g,s)-k14)+SQRT((V(g,s)-k14)**2+delta*0.3))-delta*0.3)*Cox/(Cgs+Cox)} C_Cgs sm s {Cgs+Cox}
V_Isense dd ldrd 0
G_G_Ptot_channel 0 Tj VALUE {heat*LIMIT(V(d,s)*I(V_Isense),0,100k) } G_G_Ptot_Epi 0 t1 VALUE {heat*LIMIT(V(ldrd,d)*I(V_Isense),0,100k) }
*auxillary circuit for non-equilibirium diode charge
C_C001 a 0 {ta*td/(ta+td)} R_R001 a b 1 V_sense2 b c 0 E_E001 c 0 VALUE {-enable_diode*ta/td*I(V_sense)}
.ENDS ********************************** * created using Parts release 7.1p on 08/16/96 at 13:44 .SUBCKT HFA25TB60 1 2 D1A 1 2 DFWD D1B 1 2 DXTRA RLEAK1 1 2 458.073Meg .MODEL DFWD D + IS=2.272071E-15 + N=1.99997 + RS=48.29162E-3 + IKF=.1 + CJO=1.4780E-9 + M=.59053 + VJ=.3905 + ISR=29.40402E-12 + NR=1.41349 + BV=684.14 + IBV=.25868 + TT=10.682E-9 .MODEL DXTRA D + IS = 88.02677E-12 + RS = 7.881555E-3 + N = 1.7017 + IKF = 260.849E-6 + TT = 0 + CJO = 0 + VJ = 1 + M = .5 + EG = 1.11 + XTI = 3 + KF = 0 + AF = 1 + FC = .5 + BV = 1E5 + IBV = .001 .ENDS
**************************** .Tran 2n 10.0u 10n 2n .Probe .End
|