бегущая строка, проблема с яркостью, помогите! Опции

[sadfeel]

всем привет. делаю бегущую строку на меге 32, матрица 8 на 72. каждому диоду нужно 20мА для нормальной яркости.
проблема в том, что когда я ставлю прорисовку 8 на 72 пикселя, то сила тока падает до 0.7 мА на один диод.
когда одна матрица - все нормально. тоесть я понимаю в чем проблема, но немогу пока понять как ее решить. Пожалуста кому не трудно, или кто сталкивался, помогите....

не знаю какую еще информацию нужно дать.....

рисую в буфер, потом вывожу на табло, имеется 2 буфера, вывожу из одного, и одновременно рисую на другом (естественно со сдвигом). потом меняю их местами. и пока сообщение не закончится. апаратно - плюсы матрицы соеденены серез пнп транзисторы к ножкам МК, а минусы все на сдвиговых регистрах 164тых.

всем откликнувшимся спасибо! замучался уже искать проблему...........

[aaarrr]

Схему или хотя бы ее фрагмент приведите.

[sadfeel]

http://www.imageup.ru/img156/bezymyannyjj622994.jpg

извените что так криво) на скорую руку....

порт А - через пнп транзисторы на плюсы строк матриц
столбцы матриц - минусы - на сдвиговый регистр.

Порт Б 0 - clk
порт Б 1 - дата

прога рабочая - в плане, сообщения выводит.

в проге просто кидаю в порт А значение масива столбца символа и потом делаю сдвиг.

Сообщение отредактировал sadfeel - Apr 7 2011, 19:53

[aaarrr]

Мультиплексирование какое используется - неужели 1/72?

[=GM=]

...сила тока падает до 0.7 мА на один диод. когда одна матрица - все нормально

Попробуйте один резистор после пнп-транзистора расщепить на 4..8 и от каждого запитать несколько строк каждой матрицы.

[nk@]

Мультиплексирование какое используется - неужели 1/72?

+1 Если так, то при таком duty cycle Вам потребуется ставить ключи и поднимать питание вольт до 12, то не совсем безопасно для диодов.
Схемку дайте в студию, разберемся...

[rezident]

Топикстартеру. Вообще-то нарисована матрица 8*8. Где тут 8*72? Если у вас каскадирование сделано на сдвиговых регистрах, то транзисторы у вас должны быть общими для всех сегментов и балластные резисторы соответственно включены последовательно с выходами сдвиговых регистров, а не транзисторов. Если же регистр один, то соответственно транзисторов с балластными резисторами должно быть 8*9, но в этом случае выводов МК не хватает. Мультиплексирование в любом случае не более 1/10 должно быть. В общем не играйте в партизана, поясните схему.

[sadfeel]

В общем не играйте в партизана, поясните схему.

Втыкнул немного)) сейчас все расскажу

Топикстартеру. Вообще-то нарисована матрица 8*8. Где тут 8*72? Если у вас каскадирование сделано на сдвиговых регистрах, то транзисторы у вас должны быть общими для всех сегментов и балластные резисторы соответственно включены последовательно с выходами сдвиговых регистров, а не транзисторов. Если же регистр один, то соответственно транзисторов с балластными резисторами должно быть 8*9, но в этом случае выводов МК не хватает. Мультиплексирование в любом случае не более 1/10 должно быть.

Просто нарисовал одну матрицу, у каждой матрицы свой сдвиговый регистр, пнп транзисторы общие для анодов, катоды идут в сдвиговый регистр.


Aaarrr посоветовал использовать STPIC6C595. Сделаю так: подключу ПОРТ А к анодам матрицы, катоды на МС, и буду обновлять построчно. То есть получится 1/8.

Кстати! В курсе кто-нибудь, есть ли эта МС для протеуса? Если в курсе – поделитесь ссылкой плиз!


Одно обидно, думал что все получится, и уже платы понаделывал...убил столько времени....

Сообщение отредактировал sadfeel - Apr 9 2011, 10:52

[rezident]

Просто нарисовал одну матрицу, у каждой матрицы свой сдвиговый регистр, пнп транзисторы общие для анодов, катоды идут в сдвиговый регистр.
Aaarrr посоветовал использовать STPIC6C595. Сделаю так: подключу ПОРТ А к анодам матрицы, катоды на МС, и буду обновлять построчно. То есть получится 1/8.

Все это не отменяет перенос балластных резисторов со стороны общих анодов, на сторону катодов сегментов. Иначе у вас яркость точно также будет зависеть от количества светящихся сегментов. Чем больше светится сегментов тем меньше каждому из них достается току. Ведь балласт-то в вашей схеме один для всех сегментов, подключенных анодами к ключу-транзистору.

[sadfeel]

Все это не отменяет перенос балластных резисторов со стороны общих анодов, на сторону катодов сегментов. Иначе у вас яркость точно также будет зависеть от количества светящихся сегментов. Чем больше светится сегментов тем меньше каждому из них достается току. Ведь балласт-то в вашей схеме один для всех сегментов, подключенных анодами к ключу-транзистору.

согласен, спасибо)