Облегченная версия полевого транзистора., Маркетинг или действительность. Опции

[Bulich]

Всем доброго времени суток.
В полумосте на 200Вт (IR2161) использую:
IRF740 - На ХХ холодный, на полной нагрузке очень уж горячий.
IRFP350 - На ХХ чуть греется, на полной нагрузке тепленький, но температура явно ниже чем для IRF740.
Извиняюсь за термины "тепленький" и т.п.
Все логично и сходится с расчетами.
Озадачился поиском транзисторов с каналом 0.2-0.3Ом канал (как IRFP350) и зарядом затвора как у IRF740.
Единственное, что нашел это IRFP350LC.
Два вопроса:
1. Действительно ли он такой хороший, неужели удалось совместить и канал 0.3 Ома и заряд в 76Кл? Это прогресс или маркетинг?
2. Может есть альтернатива для IRFP350LC?
Спасибо.

[_Pasha]

У Vishay/IR все, что с буквой L в конце - с уменьшенным зарядом затвора. Однозначно, это прогресс
Альтернатива может быть такой: STW22NM60N
С некоторых пор я перестал стесняться подбирать STшные аналоги для IRовских транзисторов, поскольку они постепенно приближаются к своему идеалу: посредственному качеству. Вон, уже гарантированное время в режиме КЗ сократили до 5мкс, в новых ИЖБТ.

[Plain]

поиском транзисторов с каналом 0.2-0.3Ом канал (как IRFP350) и зарядом затвора как у IRF740.

Двусмысленная фраза.

А если просто нужно что-то получше, то достаточно порыться в любом нормальном магазине по нужному параметру. Посмотрите, например, AOT27S60.

[Bulich]

Хм...
Интересно, что же это получается... Vishay делает транзисторы на 400вольт с зарядом 76Кл и каналом 0,3Ом, а ST на 600 с зарядом 44Кл и каналом 0.22Ом.
Я в чудеса не верю.
Если честно, то на транзисторы с напряжением 600Вольт даже не стал смотреть, был уверен, что они будут тяжелее четырехсот вольтовых с тем же каналом.
В чем подвох?

Сообщение отредактировал Bulich - Aug 16 2011, 06:12

[Herz]

Ну, наверное, есть и другие параметры. Плюс цена вопроса. А также время начала производства. Просто старенькие приборы тоже продолжают выпускать, хоть новые и превосходят их по качеству.

[_Pasha]

В чем подвох?

Пока практически такой замены не делал, по сему не знаю.

[Bulich]

Ну, наверное, есть и другие параметры. Плюс цена вопроса. А также время начала производства. Просто старенькие приборы тоже продолжают выпускать, хоть новые и превосходят их по качеству.

Сравнил ST vs. IRFP350LC.
Цена в Digikey одинаковая, задержка выключения в ST больше... Ну и ST по всей видимости очень не просто купить будет, о чем Вы и пишите.
Видимо действительно одни старенькие, вторые более прогрессивные...
Останавлюсь видимо пока на 350LC, необходимо, то всего 10 штук, на Митинском прикупил, запаял и вопрос закрыт.
Спасибо!

Сообщение отредактировал Bulich - Aug 16 2011, 08:56

[dinam]

В чем подвох?

А почему вы ищите подвох? В прогресс технологий не верите?
Например, самые лучшие по соотношению сопротивление заряд делает TI. Но она делает только на низкие напряжения. Искал полевичок в корпусе подобном SO-8, так оказалось самые лучшие NXP делает. А характеристики Gallium Nitride транзисторов видели? Очень впечатляют. А полевичок на 1200В с 80 mΩ и 90.8 nC (Gate Charge Total)? Правда цена его ещё больше впечатляет.

[_Pasha]

А полевичок на 1200В с 80 mΩ и 90.8 nC (Gate Charge Total)?

Чей?

[pplefi]

Хм...
Интересно, что же это получается... Vishay делает транзисторы на 400вольт с зарядом 76Кл и каналом 0,3Ом, а ST на 600 с зарядом 44Кл и каналом 0.22Ом.
Я в чудеса не верю.
Если честно, то на транзисторы с напряжением 600Вольт даже не стал смотреть, был уверен, что они будут тяжелее четырехсот вольтовых с тем же каналом.
В чем подвох?

Никаких чудес нет. Все определяется уровнем технологии и совершенством конструкции данных полевиков на фабрике изготовителя, но это другая история

[Bulich]

Никаких чудес нет. Все определяется уровнем технологии и совершенством конструкции данных полевиков на фабрике изготовителя, но это другая история

Да это все понятно, логично и правильно. Но мы то сравниваем гигантов, почтенные компании как IRF, ST, Infineon и т.п. с уровнем технологий и совершенством и них думаю все в порядке, конкуренция все таки. А смутило просто такое резкое отличие, видимо все же причина в моей отсталости, давно я серьезно не занимался этим делом, вот и проморгал движение вверх вниз сопротивления каналов, зарядов и прочих полезностей.

[НЕХ]

кто-то проспал революцию в 1998 от Infineon c именем CoolMOS...
подхваченную ST c MDmesh.
это и привело к отдаче старых технологий IR к Vishay.

[Microwatt]

М-мм.. Наблюдаю, как схемы на транзисторах с бОльшим сопротивлением канала, но с меньшим зарядом переключения имеют бОльший реальный КПД. Динамические потери меньше.
Так что новое поколение транзисторов имеет явные реальные выгоды, похоже, не рекламный трюк.

[Bulich]

НЕХ, три строки, но очень полезная информация.
Спасибо.

Сообщение отредактировал Bulich - Aug 16 2011, 15:54

[НЕХ]

на здоровье - всегда рад помочь

на 200 Вт стоит посмотреть на доступные FSFR2100 & FSFA2100 с интегрированными правильными ключами.

у CoolMOS есть, замеченная Вами особенность - задержка выключения, что может ограничивать их работу в мегагерцовом диапазоне.
Это связано с большой выходной ёмкость при напряжениях на стоке ниже 20 Вольт. Ёмкость затвор-сток при таких низких напряжениях тоже
не маленькая. Но это не вызывает потерь мощности в резонансных топологиях, можно прекрасно обойтись без снабберов - сам транзистор нелинейная ёмкость снаббера . А на высоких напряжениях ёмкость затвор-сток (Миллера) исчезающе мала, что делает практически бессмысленным попытки управлять скоростью переключения затворным резистором. Стоит обратить внимание на малое внутреннее сопротивление цепи затвора у некоторых Infineon - это может добавить головной боли в цепях с большой индуктивность цепи затвора и резким переключением. И производители сильно настаивают на ферритовых бусинках на затворных выводах при параллельном включении полевиков.
а главный недостаток - паразитный внутренний диод с огромным зарядом восстановления, что, впрочем, почти устранено в сериях приборов для резонансных преобразователей.

Сообщение отредактировал НЕХ - Aug 17 2011, 07:42