Добрый день всем. Возникла сложность при реализации импульсного режима работы GaN транзисторов. Сложность состоит в том, что питание GaN транзисторов составляет 28 В. Для открытия модулирующим мощным n-канальным полевиком включенным по схеме общий исток, на затвор его необходимо подать еще больше напряжение, не меньше 33 В. Соответственно необходимо городить целый огород для модулирующего полевика. Мощные р-канальные полевики медленее (то есть не подходят). Может есть какой-нибудь драйвер управления GaN транзистором ? Заранее спасибо.

На данные транзистора GаN можно глянуть? А также схемку Вашего первого варианта питания?

А это ВЧ усилитель? По затвору управлять не пробовали? Регулировка должна быть более быстрой.
Единственно, надо оберегать от звона коммутатора постоянного смещения затвора. Возможно, фильтром Бесселя.

Что за транзистор у вас, тип укажите (наверное от Nitronexa), и как это на затвор еще большее напряжение? Поясните.
Как у вас согласование сделано? Низкое сопротивление модулируещего в высокое на затворе? Какой диапазон частот у вас?

Транзистор TriQuint http://www.triquint.com/products/p/TGF2023-02. Согласование по S-параметрам, рассчитано в MWO. По затвору управлять конечно не пробовал, но к этому и иду, максимальное напряжение на затворе у него минус 50 В. Но еще как крайний вариант остается, модулирование по стоку p-канальным полевиком, включенным по схеме общий исток.

Матерый зверь. Купить такой транзистор реально?

Поиск даёт несколько вариантов для покупки.
Хотя Digi-Key оплошал

Добрый день,

TGF2302-02 снимается с производства, замена TGF2302-2-02.
Официальный канал в России - RFMW, доступен к заказу.

А моделировать его кто-нибудь пробовал?
Вроде как TriQuint поставляет модель Modelithics.

С уважением,
К.