Цитата(Пацаев @ Sep 21 2012, 05:31)

Что-то мне тоже захотелось их снять

Хорошо, сняли, наложили друг на друга - отличаются немного. Насколько критично отличие? Максимальное отклонение смотрите в процентах? И какое допустимо?
Мне сложно сказать, какое допустимо. В хороших PDK я видел отклонение не более 1%, ну а дальше, все зависит от Ваших способностей и опыта. У нас получается, среденее отклонение не более 5%, максиальное не более 10. Но мы учимся, и надеюсь, в скором времени достигнем лучших результатов.

В инете есть статьи по экстракции SPICE-параметров, в одной из них мы нашли, что на зарубежных фабриках модель подгоняли
в автомате 40 часов на 8 ядерном процессоре, т.е в начале подогнали физические параметры модели, а потом в автомате начали подгонять бининговые параметры. Всего было 100000 точек (25 транзисторов на трех температурах).
Цитата(Пацаев @ Sep 21 2012, 05:31)

Спасибо. Но я топологию тестовых транзисторов делал в Tanner L-Edit, каждый пришлось вручную заново делать. DRC таннера я, соответственно, и могу пока что использовать. Сейчас там никакой проверки на антенны я не видел (может, смотрел криво, не знаю). Я так понимаю, влияние этих самых антенн различно для разных уровней технологии? Минимальная длина канала, которую я использовал - 2 мкм (по идее, чем больше размеры, тем и антенна больше на себя нацепить может всякого разного, с другой стороны, большие транзисторы могут быть менее чувствительны к стекающему заряду).
Вообще не длина канала важна, а важна толщина подзатворного окисла, толщина металла. Чем толщина окисла меньше, тем транзистор чувствителенее. На субмикроне тоже ведь могут быть транзисторы с длиной 2 мкм, просто к его затвору можно подключить более длинную шину металла, чем к транзистору с длиной канала 0,35 мкм.
Цитата(Пацаев @ Sep 21 2012, 05:31)

А читабельный сам скрипт? Если там не очень сложно увидеть формулу, по которой все считается, то хотелось бы на него посмотреть.
Заскриптован, я имел в виду, что его нельзя посмотреть. У меня лежит какой-то PDK для Tanner, но так как я в нем никогда не работал, то где там правила DRС я не нашел.
А формулы указаны во многих мануалах и статьях.
Мы используем следующую: отношение площади боковых стенок металла к полщади канала транзистора, к которому подключен данный металл, не должно превышать 400. Это и описываем в правилах.