Цитата(BlackOps @ May 2 2012, 09:21)

1. На схеме источники питания включены не последовательно, а встречно. Это может и нормально если задавать для Vss отицательную величину.
Это я быстро проверил, никакой роли не сыграло. Так просто удобнее задавать питание, потомучто в этом ките присутствуют элементы субстрата, и симулируется с учетом соответствующего сопротивления. Поэтому кстати вы видите на схеме что я подключил подложку транзистора к субстрату (sub! это общее соединение к vss, через субстрат, на схеме этот элемент показан, это subc)
2. У вас теперь практически нет рабочего тока. Какой был я незнаю. От рабочего тока сильно зависит интересующий вас параметр. У меня, например, максимальный входной ток равен 18.6mA при 21мкА через транзистор при заданном однополярном питании 5V.
задал рабочий ток 1мА
3. Рабочий режим задаётся не совсем корректно. Рекомендую режим задавать источником тока через токовое зеркало. Это удобно и корректно. Тогда, для обеспечения AC режима, нужно диод зеркала закорачивать на землю большой ёмкостью.
задал рабочий режим токовым зеркалом. Подключил емкость.
4. Для упрощения схемы рекомендую отказаться от двухполярного питания, если конечно в этом нет особой необходимости.
необходимость думаю есть, исходя из особенности данной модели. И проверил с однополярным источником - никакой разницы.
5. Не понятно куда подключается подложка транзистора?
к субстрату, как указано в №1 (к земле можно также сказать)
6. Попробуйте заменить транзистор ёмкостью (это для проверки где собака зарыта).
В начале я посмотрел параметры gm и Cgs транзистора:
gm = 9.486m
Cgs = 194fF
затем провел расчет, под частоту f0 = 5ГГц:
f0 = ( 1 / sqrt( Cgs * Ltotal) ) * (1/2pi)
Ltotal = 1 / ( (2pi * f0)^2 * Cgs) = 5.2nH
wt = gm / Cgs = 4.89e10
Ls = Rin / wt = 50 / 4.89e10 = 1nH
Ltotal = Lg + Ls;
Lg = Ltotal - Ls = 5.2nH - 1nH = 4.2nH
соответственно мои индукторы теперь Ls=1нH к source транзистора, и Lg = 4.2nH к gate транзистора.
Затем добавил рядом схему где заменил транзистор конденсатором аналогичной емкости 194 fF.
Результат АС анализа прикрепил, и как видите в схеме с конденсатором я получаю почти 20мА! А вот в схеме с транзистором, и аналогичными индукторами получаю около 2мА!
7. Параметрический анализ от ID и Vdd будет интересным и может поможет в чем-то.
сделал. помогло мало чем. ну там видно значение Vgs - Vth примерно около 120мВ, и что ток при 1.8в Vds равен 1.294мА, но это и из распечатки было видно тоже.
8. И очень важно - проверьте во всех источниках AC параметр. Он должен быть задан только в одном из них. На схеме вроде это так, но параметры могут быть и невидимыми.
проверил. АС только в нужном источнике.
Прикрепляю обновленную сХему, тожнее две схемы. График АС симуляции, и график параметрического sweep анализа.
т.е сейчас явно видно что дело в транзисторе если я не ошибаюсь.
входное сопротивление Rin = Ls * wt, так вот Ls стоит на месте, но выходит так что на нужной частоте резко падает wt, а т.к. вт зависит от gm и Cgs, то или резко падает gm или резко повышается Cgs. Это чисто логически исходя из формул, но почему именно я получаю настолько низкий ток не могу понять!
Где же может быть еще тогда причина?
1. Если у вас BSIM4.x модель тогда проверьте значение параметра
rgateMod (если 0, то паразитное сопративленние затвора не моделируется, если 3 - то максимальная точность, а 1 и 2 это средняя точность. Параметры rdsMod, rgeoMod и nbodyMod тоже можно посмотреть.
2. ADE L/Setup/High - Performance Sim Options/Parasitic Reduction.
3. ADE L/Simulation/Options/Analog/Component/scalem & scale.
У меня, к сожалению, нет аналогового кита с нормами меньше чем 0.35u, а паразитные эффекты как раз и увеличиваются с уменьшением длины канала, что я не могу проверить. И вообще-то это RF и нужно учитывать такие вещи как, например, сопративление затвора (смотри пункт 1). BSIM3.3 без дополнительных внешних надстроек не моделирует в AC анализе сопративление затвора и некоторые другие паразиты, а BSIM4 их учитывает.
конденсатор42