Компания Infineon Technologies представляет новую серию транзисторов CoolMOS™, основанных на принципе суперперехода (Superjunction), CE с рабочим напряжением 500В.

Отличная альтернатива стандартным MOSFET транзисторам при создании источников питания для приложений, требовательных к стоимости, таких как бытовая техника, приставки для персональных компьютеров и импульсные источники питания для освещения.

Новые транзисторы сочетают в себе все преимущества современных MOSFET, основанных на принципе суперперехода:
*Высокое качество и надежность технологии CoolMOS™
*Низкое сопротивление во включенном состоянии (R DS(on))
*Низкие потери при коммутации
*Низкая накопленная энергия в выходной емкости
*Высокая надежность встроенного диода
*Низкий заряд затвора

Доступность
Доступны образцы с сопротивлением R DS(on) 280мОм и 500мОм в корпусе TO-220. В мае 2012 будут доступны образцы с сопротивлением R DS(on) 280мОм, 500мОм и 950мОм в корпусах DPAK и TO-220 FullPAK.
Начало серийного производства – май 2012.

Подобрать дискретный MOSFET транзистор можно на сайте: efo-power.ru/products/?l3=23