Добрый день! Нужно измерить параметры LDMOS транзистора. Проблема в том, что я студент дипломник, и курса по СВЧ у меня не было, на предприятии где я пишу диплом, технологически произвести кристал для такого транзистора они могут, делают, а вот измерения параметров нет, и специалистов по СВЧ там нет. Подскажите с чего начать, основные элементы измерителтьного стенда, как согласовать все это. Буду рад любой информации!

Вот сайт фирмы, которая изготавливает такое измерительное оборудование
http://www.icmicrowave.com/default.asp
Там где-то должны быть, вроде, и методики измерений...

Вы видимо слабо себе представляете это мероприятие. Все это тянет на провокацию, как минимум. Для диплома все сойдет а по делу, крайне деликатная задача. Готовое такое купить? я подозреваю что это ваше предприятие целиком дешевле купить. VNA и все эти DUT и генераторы в денежном эквиваленте хватит вам на всю оставшуюся. Тогда вопрос а кому тогда все это нужно.

Для начала определиться с частотами на одной нескольких частотах можно обойтись КСВ метрами и замерить импедансы.
Для S параметров большого сигнала, необходимо подходящее серьезное оборудование.

Согласен что похоже на провокацию. Но увы так получилось. Предприятие на самом деле очень большое и серьезное, просто СВЧ электроникой никогда до этого не занимались. Мне намекнули что если я не сделаю толком ничего, то и страшного в этом нет, диплом все равно как нибудь сдам, но хочется как минимум понять как это нужно сделать. И оборудование там есть вполне серьезное. Мне нужно измерить коэф усиления по мощности, коэф. интермодуляционных искажений третьего порядка, выходную мощность, и убедиться что транзистор нормально работает в заданном диапозоне частот (0,5-1,2 ГГц).

а мощность первого порядка не спасет отца...дальше можно скалькулировать, что более ценно, вы же инженер...
а так и не признались что мерить собираетесь

Rohde Schwarz так даже с ними проблема померить большие S пар. Не говоря уже о рассеиваемой мощности и нагреве в процессе.

в том то и есть провокация, что для практиканта не подьемная задача даже семи пядей во лбу, ибо ничего готового нет и никто не ждет и помогать особо не будет. Да и тема может потянуть на ученую степень при прочих равных...

proxi +1

вот ссылка на метОды, теория в самом верху 1 метода, слегка поможет систематизировать взгляды.
http://www.bsuir.by/online/showpage.jsp?Pa...nuItemID=117312

Что касается стенда для малосигнальных измерений, наверное это все что до 0.5 Вт, векторный анализатор цена от 10к зеленых рублей до +бесконечности, Agilent?tectronix?, россияне тоже делают, Эталон прибор кажется. Что касается самого процесса и технологии. Вам придется полностью подбирать всю установку самому.

Все что выше 0.5 Вт, и большесигнальные S параметры.
Определиться:
1. На кой черт вообще заниматься всем этим.. ммм разберитесь что такое Load Pull в том же MWO. Это по сути есть черновая модель того как можно измерять реальные транзисторы.
это все теория. Она дает образное понимание чего можно достигать, имея точные параметры транзисторов. (Вам будет легче аргрументировать затраты в 1 кк баксов).

2. Еще отделдьдная тема, почему меряют и те и те, и в чем фишечка, тоже рекомендую покопать. Мотороловские App ноуты, и тд в помощь. Сейчас нет времени копаться, напишите в личку, или тут выложу, или вам пришлю.

Что касается технлогии:
Вам придется лично конструировать всю установку, минимальный набор включает в себя:
1. Векторный анализатор 2-4 канала,
2. 2 отвителя развзяка 10-20-30 dB
3. подстраиваемые линии которы держат 30-60 dBm (эквивалент блока с упавляемым сопротивлением)
4. Возможно усилители мощности 2-10 Вт чтобы раскачать то что вы будете тестировать.
5. Аттнюаторы 3, 10, 20 dB. на приличные мощности.
6. всякие мелочи, типа бесконтактные подставки под транзисторы, и для отвода тепла от тестируемого устрйоства. кабели с малым затуханием.. и т.д. и т.п.
.. а если еще измерения температуры добавить... ну вобщем вы я думаю поняли.
Все это для вашего частотного диапазона.
Если это все для массового производства, то встанет задача взаимодействия всех этих девайсов между собой, автоматический выдачи результатов.. и т.д и т.п.
Еще вам придется подумать, как за все это хозяйство посадить Петра петровича пупкина, который умет только отверткой работать, что то уносить, что то приносить, копать и не копать. Чтобы ему упаси боже, не пришлось ДУМАТЬ, а только делать. кнопки тыкать, результаты выдывать и тд.
Вся задача учитывая ваш опыт, и учитывая расходы на сожженые векторные аналзизаторые и прочие приборы потянет на 300к+ баксов. (если реализовывать как надо и для промышленного варианта, то и до 2кк, легко допрыгнет)

Оценивая все вышесказанное, важнейшим для вас сейчас является, определение целей которые вы преследуете, исходя из этого уже будет видно, что вам из всего выше описанного надо, а что не очень.
Как заметили выше, при наличии некоторого намека на присуствие знаний по математике, и схемотехнике, физике, возможно применение измерителя КСВ. Но этот метод, проверенный мной, больше смахивает на метод фингера-деккера (в переводе пол палец потолок), хотя и иммет в своей реализации некоторые ограничения в смысле палец на 2м метра, а потолок на 1.5м. Особенно это касается мощных широкополосных усилителей, работющих в импулсном режиме. :-)

Интересно, а без измерения большесигнальных S параметров не обойтись? Можно ведь составить эквивалентную модель для большого сигнала и по ней уже оценить этот импеданс. Вот вам и срезали пару десятков тысяч зеленых

Во первых основные (самые ходовые) параметры усилительного каскада на транзисторе наверно можно измерить используя анализатор цепей (скалярный или векторный на ваше усмотрение) Наверно эта основная статейка по измерениям СВЧ
А далее от того, что Вы хотите и что у вас есть. Мы собирали немного упрощенный вариант вот этой штуки.
Поищите статьи на Agilente. Там много интересного найдете. Моя рекомедация ищите старые статьи, т.к. начинать надо с азов.

а вообще поищите на форуме. Раз в пол года тема с Вашим вопросом всплывает. и каждый раз её обсуждают

кстати часто и сами производители ВЧ транзисторов приводят статьи по измерению параметров и свои алгоритмы и макетки. Надо не торопиться и медленно читать.

p.s. я конечно не спец в этом, но немного знаю. Пишите четкий вопрос в личку. Может смогу помочь.

Если хотите сделать качественную вещь, не обойтись. )) цитата, метод фингера деккера )) даже для 300 МГц про выше вообще молчу. Только если ее (нелинейную модель) даст производитель, лично вам, но не все дают. далеко не все. Матрица транзистора будет что то в раене 9 на 9 , или 16 на 16, где то так. Сами баловались.

И что сходилось с экспериментом? Матрица, я так понимаю, составлена из уравнений, описывающих транзистор, т.е. матрица - 16 на 16 говорит о том, что модель описывается 16 уравнениями или 16 неизвестными?

Благодарю вас всех! Думаю что в диплом придется вставить красивые схемки с сайта Аджилента, этим все и ограничится. Большее не потяну.

foxlee: на предприятии где я пишу диплом, технологически произвести кристал для такого транзистора они могут, делают, а вот измерения параметров нет, и специалистов по СВЧ там нет.

Был свидетелем, на предприятии (сборочное производство, с СВЧ неработали) собирались выпускать СВЧ изделия (модули), специалистов в области разработки/измерений нет. Технологи вместе с дипломниками ведут подбор оборудования без представления какие бывают конструкторские решения, проблемы с настройкой, регулировкой - главная задача собирать, а что собирать неважно.
Одного паренька (год после Вуза, конструктор по образованию) сделали ведущим конструктором целого бортового модуля формирования опорных частот - внушительная такая штука размером с рюгзак первокласника: там и модули на ПЛИС, генераторы и переключатели на S и Х диаппазон. Дали ему КД и ТУ с поставленной задачей: сделать оснастку, подбор оборудования, пульты для настройки и проверки. Вот только что и как получилось я не узнал

И не узнаем... как Китайцы мля, производить можем а че производим хрен его знает. Максимум, цельнотянутая плохая копия а померить нечем, оборудования нет и пары миллионов баксов тоже нет. Может дешевле покупать готовые.