Помощь - Поиск - Пользователи - Календарь
Полная версия этой страницы: Swap DDR2/3
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Печатные платы (PCB) > Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
vovchk
Добрый день!


Подскажите, пожалуйста, можно ли свапировать линии данных в пределах одного байта у м/с памяти ДДР2/3? Не передаются ли по ним какие нибудь управляющие команды?
aaarrr
В общем случае можно. Для DDR3 смотрите описание конкретного контроллера и памяти (есть момент с Write Leveling и prime DQ).
vitan
Цитата(aaarrr @ May 26 2012, 19:23) *
В общем случае можно. Для DDR3 смотрите описание конкретного контроллера и памяти (есть момент с Write Leveling и prime DQ).

А можно подробнее? Почему можно? Что будет, если надо будет записать что-нибудь во внутренние регистры? Постоянно учитывать своп?
aaarrr
Цитата(vitan @ May 26 2012, 22:53) *
А можно подробнее? Почему можно? Что будет, если надо будет записать что-нибудь во внутренние регистры? Постоянно учитывать своп?

Регистры, коих не так много, традиционно пишутся через линии адреса/банка. Ничего учитывать не придется.
vovchk
Хорошо, с данными вроде разобрался. Всем спасибо за ответы! Есть вопрос с "подменой" адресов у ДДР3- зеркальные пины адреса при расположении м/с на противоположных слоях (А3-А4,А5-А6,А7-А8, БА0-БА1). В мануалах Микрона я этого не нашел ничего про это (может конечно пропустил случайно), но гугл выдает много презенташек на эту тему. Не понятно как я могу этим пользоваться.
Должен быть спец. контроллер или м/с памяти с разными буквами в конце "order name" или есть какой-то пин у ДДР3 который задает зеркальность или еще что нибудь?
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.
Invision Power Board © 2001-2025 Invision Power Services, Inc.