Подскажите пожалуйста, как сделать 75 Ом волновое сопротивление дифференциальной пары в Poslar Si9000. Материал FR-4. Плата 4-х слойная. Структура представлена на рисунке. H2=1.5 мм

H2 1.5мм?? и что у Вас находится между H2 и H1?
Не делаются высокоплотные высокоскоростные платы на текстолитах 1.5 мм.
Вам придется проводники по 2-3 мм шириной делать!

толщина должна быть 0.1 мм, максимум 0.2

Такая технология изготовления ПП у PSELECTRO(берут основание 1.5 мм)
между H2 и H1 препрег 0,25мм

Дифф. пара состоит из двух одиночных проводников, близко расположенных.
Считать нужно одиночный проводник на Zo=Zдифф.пары/2. Т.е. 37,5 ом
Я бы посчитал так.
1. Нужно определиться где будут дифф. пары.
Во внутреннем слое или на внешнем?
Допустим на слое ТОР.
2. Выясняешь у производителя какие препреги доступны.
Посмотрел у Резонита.
Препрег KB-6060: 1080 (0,06 мм), 2116 (0,12 мм), 7628 (0,18 мм)
Пусть остановимся на 1080.
3. В Poslar Si9000 выбираешь самую первую конструкцию "Surface Microstrip 1B"
Или если желаешь учесть Er маски то "Coated Microstrip 1B"
Вводишь Zo =37.5 om 75/2, H1 = 0.06, T1 = 0.018 (или 0,035 фольга)
Вводишь также Er1 допустим = 4.2
4. нажимаешь кнопочку Caculate напротив W2
5. Считываешь результат. W1=0.18 mm
Если дифф. пары во внутреннем, то выбираешь конструкцию "Embedded Microstrip 1B1A"