Цитата(Грендайзер @ Jan 8 2013, 18:17)

Да, и впрямь где то это написано было, видать не внимательно прочёл... нужно перечитать, большое спасибо. И ещё, хотел уточнить, значит принцип записи/чтения во флешь память следующий: выставляю адрес сектора и блока внутри сектора - пишу/читаю, далее цикл повторяется для всех остальных секторов, правильно?
чтение осуществляется как из обычного ОЗУ, а вот вся остальная работа (стирание, запись, доступ к CFI и т.д.) - через запись определенных команд
Какие команды, какое количество циклов, по каким адресам - все в мануале
У Spansion нормально расписано
На самом деле есть два типа (или я встречал только два) для NOR флешей алгоритмов - AMD/Fujitsu и Intel
По-моему, алгоритм можно спросить через CFI у самого чипа