Добрый день. Нужна помощь опытных специалистов. Столкнулись с вопросами антенного эффекта (ANTENNA RULES). Необходимо подобрать критерий, по которому определять - является ли данная шина металла\ПКК антенной для подключенного подзатворного окисла. В зарубежных фабриках\PDK обычно стоит цифра 100, 200, на некоторых бывает и более. Может кто-нибудь знает, по каким методикам выбирается данное соотношение? Какие тесты необходимо разработать? Как их правильно измерять? Понятно, что тут необходимы статистические методы. Наше понимание ограничено тем, что необходимо разработать тесты с разным периметром подключенных шин. Но далее? Отбраковывать нужно по проценту пробитых подзатворных? либо по количественному ухудшению времязависимого пробоя до какой-то степени? Может кто-нибудь сталкивался в современной литературе с таким вопросом? Тогда был бы благодарен за ссылочку. Спасибо.

Специалистом в технологии изготовления не являюсь, всего лишь дизайнер, поэтому все что ниже - имхо.
1. Отношение площадей и/или периметров шин межсоединений и подзатворного диэлектрика должно обеспечивать почти стопроцентную вероятность целостности подзатворного диэлектрика: факторов снижения процента выхода годных и так предостаточно, а "антенные" проблемы очень легко решаются конструктивно.
2. Численное значение этого отношения очень зависит от технологических особенностей каждой из фабрик, поэтому и цифры у всех очень разные. Не исключаю также, что разные фабрики могут перестраховываться в разной степени.
3. Тесты для определения очевидны - фрагменты схем с разными отношениями, которые после изготовления обмеряются по каким-либо критериям, например на предмет величины тока утечки затвора.

От фонаря, естественно. Чисто из интуитивных соображений. Ибо провести корректные исследования для миллиардов комбинаций - нереально долго и дорого.
Может, вам поможет другой подход - экранировка длинных шин и установка защит от выбросов на входах ячеек, к которым они подключаются.

Не стоит забывать про изменение порога у транзисторов, часто советуют ставить дополнительные диоды по входам аналоговых цепей.

Или стоки закрытых транзисторов (если смыкание канала имеет меньшее напряжение, чем пробой подзатворного для конкретной технологии).

Возможно не понятен сам вопрос. Нам не нужно ничего защищать, не нужно избавляться от антенного эффекта. Что это такое, и как от него избавиться мы вполне понимаем. Задача стоит именно в опредении той технологической границы, при которой будут происходить существенно значимые эффекты в подзатворном окисле. Т.е. мы хотим определить, как я уже спрашивал выше, количественный критерий антенного эффекта. Так что подсказывайте, пожалуйста, в эту сторону. Заранее спасибо.

не так выразился, хотел предложить в качестве параметра изменение порога транзистора, но на сколько выражен эффект я не скажу

Если я правильно понимаю вопрос, то попробую сослаться на:

Liang M, Chang C, Yeow Y, Hu C and Brodersen R 1984
MOSFET degradation due to stressing of thin oxide
IEEE Trans. Electron Devices 31 1238–44

Shin H.C.,. Hu C.
Thin gate oxide damage due to plasma processing
Semicond. Sci. Technol. 11 (1996) 463–473.

Они вроде ссылаются на то, что основная деградация касается подпороговой крутизны характеристики, порогового напряжения и мобильности носителей. Первые два, по крайней мере, легко измеряемы, и несложно оценить деградацию этих параметров в сравнении транзисторов, не подключенных затворами к значительным "антенным" структурам и подключенных.

P.S. Я даже близко не технолог, я этим лишь интересовался при разработке аналоговых блоков на готовой технологии, чтобы понять, что подкрутить в моделях для оценки худшего случая воздействия антенного эффекта на полевик в пределах допустимых по antenna rules отношений площадей. Так что "пальцем в небо", но может чем поможет...

Все продвинутые фабрики используют для квалификации своего
технологического процесса JEDEC STANDARD.
В частности наиболее информативным является JEDEC стандарт
JP001 FOUNDRY PROCESS QUALIFICATION GUIDELINES (Wafer Fabrication Manufacturing Sites).
По вашему вопросу смотрите в нем например таблицу 10.3.1 P2ID test requirements, где есть
Reference procedure, Test parameters, Test structures и так далее.
Так что всегда начинайте раскручивать вопрос со стандартов.

Спасибо всем за помощь. Буду разбираться.