Доброго дня.

Вопрос специфический.
До меня, несколько дней не доходит, как учитывается влияние объёмного сопротивления::

Uвнеш.д=Uвнутр.д+Iд*Rд (Формула взята из Полупроводниковая схемотехника - Титце, Шенк)
Где Iд=f(Uд) - ВАХ диода
Rд - нам известно

Т.е. по моей логики, симуляций для одной точки, должна состоят из двух действий:
1) Находим Uвнутр.д
Uвнутр.д = Uвнеш.д - Iд(Uвнеш.д)*Rд
2) Находим Iд(Uвнутр.д)

По литературе описано, что нужно использовать именно Uвнyтр.д, для более точного моделирования.
Так нам известно только прикладываемое напряжение, нужно использовать схему описанную выше, или я не прав?

Аналогичная ситуация для модели Гуммеля-Пуна с RC,RE,RBM,RB.