Возник такой вопрос,
Известны ли стандартные трюки, с помощью которых имея 3.3В полевые транзисторы можно сделать IO на бОльшее напряжение (5-12В)?
Т.е. соединяя их последовательно с балансировкой и хитрым управлением напряжением на затворе, с изоляцией транзисторов через triple well или SOI?

Интересуют ссылки на книжки, собственный опыт.

То что зачастую проще найти фабрику с HV-опцией и не париться - это понятно.

Трюки есть. Например, выполнять стоки областью кармана. При этом, правда, будет большое перекрытие стока затвором. Соответственно, паразитная ёмкость.
Но, DRC всё это не будет проходить, если штатно такие выкрутасы не расписаны. Посему, будет больше проблем с тэйпаутом, чем пользы. Вряд ли стоит заморачиваться.

Есть ещё один момент - достаточно углубиться в рассказы о трюках, как скоро найдётся кто-то, кто будет активно называть вас дебилом. Ну кому это нужно?

Для элементов IO такие трюки не применяются, поскольку от таких элементов требуется максимальная надежность. Площадки должны функционировать все свое время жизни с заданным количеством отказов.
Для схем, которые постоянно не находятся под стрессовым напряжением ( близким к напряжению пробоя диэлектрика или p-n перехода), например, такие как схемы накачки энергонезависимой памяти (flash), схемы электростатической защиты, схемы накачки для управления ключами переключаемых конденсаторов, работа с напряжениями, большими чем типовое допустимое напряжение питания - обычное явление.
Такие схемы обычно могут работать с напряжениями в 80-90% от напряжения пробоя.
Давно известная приближенная оценка пробовного напряжения: Uпробоя в вольтах = толщина подзатворного в ангстремах. Это что касается пробивного диэлектрика. Также следует контролировать в таких схемах пробой pn-переходов.
Вообще многие фабрики имеют элементы ввода-вывода, которые работают в режиме overdrive. Т.е. элементы ввода вывода, например, рассчитанные на 2.5 В, поддерживают напряжения до 3.3 В на той же элементной базе.
Что касается схемотехники формирования и использование таких напряжений - то это стандартные схемы накачки, использование транзисторов со смещенным потенциалом кармана (подложки) и т.д.
Работать с 5В при питании 3.3В и типовыми транзисторами - это реально. С 12 В - скорее всего уже нет, поскольку уже ни один pn -переход не выдержит такого обратного смещения.