Добрый день!
Вопрос по поводу максимальной рассеиваемой мощности транзистора. Поскольку задачами питания занимаюсь не часто, то столкнулся с трудностями поиска транзистора.

Наткнулся на транзистор

IRF6668PbF. Габариты устраивают, но не могу понять сколько он может максимально рассеивать, поскольку в даташите несколько параметров рассеиваемой мощности, различающиеся в десятки раз. Объясните пожалуйста, что они значат? Даташит прикрепил.

Необходим транзистор с макс. мощностью не менее 25Вт(эта цифра уже с запасом в 25%) и напряжением сток-исток не менее 80В и минимальными габаритами.

Благодарю.

так а в чём вопрос? В даташите всё есть.
третья страница, Absolute Maximum Ratings, изучаем параметры, не забывая про третью и четвёртую сноску.

В этом и вопрос. Я смотрел эти параметры, и сноски тоже, но мне там не понятно, в чём разница.
В 3-её сноске говорится, что транзистор монтируется поверхностью к медному слою платы. В 4-ой - температура меряется термопарой.
А причина по которой значения мощности так разнятся - мне не понятна.
Может подскажете?

Спасибо.

Первая мощность - без охлаждения при комнатной температуре, вторая - то же при 70 градусах, третья - с неким охлаждением (там по сноске оно описано, при монтаже SMD на медную площадку площадью 1 кв. дюйм, в установившемся режиме).

Спасибо большое!
Наконец-то просветили .

Благодарю.