Делаю зарядку на max 712, 8 NiMh банок 2000 mAh + нагрузка 200ma примерно,ток заряда выбрал C/2, напряжение питания схемы 16 V,схема стандартная,на первой странице даташита. Не могу понять из каких соображений выбирается Q1(транзистор), мощность рассчитать это понятно а вот с коээфициентом передачи тока базы?Как его выбирать?Так же не понял зачем там стоит R2? Ведь ток потребления DRV зависит от тока заряда а этот R2 только 4.5 ma добавляет, смысл? Может кто-то делал подскажите,а то я чего-то запутался....

Мои соображения вот какие.на стр 10 даташита рис 6 приведена внутренняя схемка. Насколько я понимаю R2 давая 4.5 ma обеспечивает нормальную работу транзюка внутри микросхемы если ток базы q1 оч маленький,то есть коээфициент передачи тока базы этого транзистора не принципиален, главное чтобы входной ток DRV не превышал 100 ma( I = 4.5 ma + ( I заряда / h транзистора ) < 100 ma),и напряжение на DRV было меньше 20 вольт.Но на стр 2 в самом низу написано DRV Sink Current , min = 30 ma , при V на DRV = 10 V. Как это понимать????2sb1370 подойдет?И еще хотел спросить,там написан что напряжение питания надо выбирать U=1.5 + (1.9 * кол-во банок). Но ведь напряжение на банке максимум может быть 1.7 вольт, а не 1.9??