Здравствуйте форумчане!
Может кто подскажет, есть ли микросхема для осуществления импульсной модуляции (длительность импульса порядка 10...1000 нс) по затвору GaN транзисторов, ну и где ее взять.
Я так понимаю для осуществления модуляции необходимо подать напряжение на затвор GaN транзистора порядка минус 40... минус 30 В.
Всем заранее спасибо за дельные советы.

Разве можно подавать такое напряжение на затвор? Там после -8 В обычно появляется ток утечки. Почему не попробовать модулировать по стоку?

Если, к примеру на транзистор TGF2023-2-01 указано максимальное напряжение затвор-исток минус 50, то почему бы и нет? Тем более в описании не указано напряжение отсечки. Если бы была возможность пощупать данный транзистор и определить напряжение отсечки, при поданном СВЧ сигнале на входе, вопросов бы не возникало... Модулятор по затвору можно сделать маломощным, так как токи по затвору гораздо меньше, чем по стоку. А при модулировании больших токов возникают различные проблемы...

Если не секрет, где брали такие транзисторы?
Есть ли ограничения по количеству и какая стоимость?

Запроси здесь http://www.efind.ru/icsearch/?search=TGF2023-2-01 или тут http://www.skard.ru
Из этих поставщиков тебе ответят, кто сможет достать, а кто нет... Я уже этим не занимаюсь.

А получилось создать модулятор по затвору? Если да, то хотел бы Вас попросить подробнее рассказать про модулятор.