Я тоже в Мультисиме не работал, поэтому не скажу, как туда вставляются модели. Но. В пдф-ке на самом деле несколько уровней моделей для сразу нескольких диодов. Собственно пример модели
Код
MBD1057 Tunnel diode
.DC V1 -60.0E-3 470.0E-3 10.0E-3
.PRINT DC I(V1)
V1 1 0 0
X1 1 0 MBD1057
* Metelics MBD1057 Tunnel diode 1 is Anode 2 is Cathode
.SUBCKT MBD1057 1 2
B1 1 2 I=0.007358*V(1,2)-0.08607*V(1,2)^2+0.2911*V(1,2)^3+0.03922*V(1,2)^4-1.693*V(1,2)
^5+2.099*V(1,2)^6
C1 1 2 0.3E-12
.ENDS
.END
В которой самым важным является выражение тока I через степенной ряд V, хотя ИМХО возможны и другие аппроксимации. Коэффициенты при степенях для разных диодов табулированы - их надо брать и подставлять в степенной ряд. Но, опять. Это детекторные диоды. Ток пика никакой, очень мало подходят для генераторов. Поэтому Ваша задача - найти справочные данные на используемый диод, а именно график I(V) в рабочей зоне (а она очень узкая - где-то минус 0.2В - +1В) и попытаться в любом математическом пакете построить аппроксимацию.
У меня не совсем получилось - просто некогда разбираться было. В Маткаде, например, строим таблицу зависимости I=f(V) - матрицы-столбцы v и I строим график для проверки - f(vs) - я использовал сплайновую интерполяцию. А, чуть не забыл, диод - что-то типа 3И201А с током пика 11мА на 0.2В. Потом строим систему уравнений для степенного ряда. Попробовал решить матричным методом (эх, курсач по программированию на Алголе-66 между 1 и 2 курсом в 1981г). Получилась матрица-столбец а0-а6 - коэффициенты при степенях напряжения. На самом деле получилась фигня, если изменение v сделать непрерывным, а не по точкам матрицы-столбца, как на второй картинке. Но у Вас, может больше времени, и все получится.
С1 1 2 - емкость диода между выводами 1 и 2. У 3И201А 3.5Е-12
BTW. Существует еще один способ моделирования схем на туннельных диодах - в модели он заменяется парой полевиков в режиме лямбда-диода.