Допустим, есть СВЧ транзистор, про который производитель пишет "предназначен для работы в импульсном режиме". Ну или те же самые слова, но по-буржуйски. В импульсном режиме он обеспечивает мощность 100 Вт при скважности 10. Имею ли я право использовать его в непрерывном режиме, чтобы получить 10 Вт? Чисто теоретически, в общем случае и не привязываясь к конкретному наименованию. Вроде бы средняя мощность та же самая. Или импульсные транзисторы имеют какие-то особенности, которые этого сделать не дадут?
Что станет с КПД, усилением?

Мысли появились после разглядывания табличек со словами Дискрет-6 и Печора-8 отсюда: http://www.niiet.ru/index.php/transistors/transistors-new

С импульсными транзисторами несколько сложнее, чем пересчет по средней мощности.
Рабочие режимы в основном определяет длительность импульса, а не его скважность.
Т.е. если транзистор рассчитан для работы при длительности импульса (t) = 10мкс и скважности (Q)=100, то скорее всего он будет работать и при Q=10, а при t=1000мкс и Q=1000 сгорит, хотя средняя мощность во втором случае даже значительно меньше.
Все определяется временем разогрева транзисторного кристалла зависящего от его площади, толщины и материала из которого он изготовлен. Для биполярных транзисторов рассчитаных для работы с короткими импульсами возможно возникновение вторичного пробоя при увеличении t до определенного предела. При попытках использовать биполярные импульсные транзисторы в непрерывном режиме, напряжение питания приходится снижать до 12-15В, так, что затея перестает иметь всякий смысл.

Другое дело с LDMOS транзисторами типа описанных в первом посте.
Они могут работать в непрерывном режиме, при этом выходная мощность ниже примерно на 20-25% относительно импульсного режима, что уже связано именно со средней рассеиваемой мощностью.
Такая особенность определяется отсутствием эффекта вторичного пробоя, и тем, что в отличии от биполярных транзисторов максимально возможный ток через полупроводниковую структуру определяется только ее площадью и слабо зависит от длительности импульса тока.

При переходе из импульсного режима в непрерывный усиление снижается, КПД при работе с большими токами смещения может даже и увеличится, но это зависит от параметров импульсов, особенно Q.

Кое-что слегка прояснилось. Спасибо!
У LDMOS, наверное, тоже придётся снижать напряжение?