Есть схема коммутации с нижним ключом(IGBT), нагрузка индуктивная (около 100мкГн),мгновенный ток до 200А, для сброса ЭДС самоиндукции применяется диод. Частота коммутации 1кГц, скважность 3%-98%. Применяю диод STTH12010TV. Всё отлично, встал вопрос выбора диода для такой же схемы, но c мгновенным током до 600А. И вот тут начались проблемы: диоды с такими токами обладают бОльшим временем восстановления, нашел только vskdu162 у него Trr = 150нс, не знаю подойдет ли.
1) Как время нарастания зависит от времени восстановления (время восстановления пишут в даташитах, время нарастания нет)?
2) Подойдут ли для таких целей транзисторы со встроенным freewheel диодом, типа SKM400GAL12E4 в даташите нет указания на время восстановления.

Давайте, для начала, уточним:
1) Какие напряжения Вы коммутируете?
2) Что понимаете под временем нарастания?
3) Подойдут для каких целей?
4) Есть ли возможность просто параллелить диоды?

От 300 до 500В

Время за которое диод приходит в открытое состояние, в учебниках такая характеристика есть.

Для таких же целей, но для бОльшего тока. В транзистор SKM400GAL12E4 уже встроен freewheel диод, но я не могу найти или рассчитать время восстановления, правда там дана такая характеристика как заряд, но я не умею ей пользоваться, может подскажите?

Возможность есть, но надо же выравнивать, а вот найти такие сопротивления уже проблема.