Столкнулся тут с расчетом времен переключения и мощности рассеяния на Мосфетах.
Прочитал несколько статей типа

1. http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf
Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми
полевыми транзисторами.
2. http://gete.ru/post_1182281100.html IGBT или MOSFET? Практика выбора

Возник ряд вопросов
Для примера разберем транзистор STW55NM60ND
http://www.st.com/web/en/resource/technica.../CD00176812.pdf

Qg=190nC
Vdrv=10
Rg=4.7 Ом
Rgin=2.5

1. Время включения/выключения

В простейшем случае ton= Qg/(Vdrv/(Rg+Rgin))= Qg*(Rg+Rgin)/Vdrv=190*(2.5+4.7)/10/=137ns
По паспорту td+tr=33+68=101ns не сходится с расчетом
Предположим что в Rg учтено Rin
190*4.7/10/=89.3 ns опять не сходится с PDF

Время выключения toff= Qg *(Rg+Rgin)/Vgth =190*(4.7+2.5)/4=342nc
По паспорту td+tr=188+96=284 ns
Аналогично 190*4.7/4=223nc
Опять несварение..

Усложним формулу учитывая лишь заряд переключения и задавая точнее ток затвора

заряд затвора на переключение Qsw = Qgs+Qgd=30+90=110nC
ток затвора
Igon = (Vdrv-Vgm)/(Rg+Rin)=(10-4)/(2.5+4.7)=0.833

Ton= Qsw /Igon=110/0.833= 132 не совпадает с 101ns

Аналогично
Igoff = Vgm/(Rg+Rin)=4/(2.5+4.7)=0.555
Toff= Qsw /Igon=110/0.555= 198 не совпадает с 284ns

Вопрос в чем ошибки расчетов?

Infineon - Application Note - 650V CoolMOS C7 - Mastering the Art of Quickness

Стр. 15 и дальше.

Спасибо, прочитал. Но хрен редьки не слаще..
Из того же Infineon, для их же транзистора IPW65R045C7, по их же формуле с стр15
Подставляя условия при которых приведено td (off) в формулу

td(off) =Rg*Ciss*ln{(Vdrv-Vgoff)/(Vgm-Vgoff)}=3.3*4340*ln{(13-0)/(5.4-0)}=12.6ns

а в pdf написано 82ns. Не сходится.