Собственно есть несколько вопросов к срециалистам:
надо уместить в корпусе типа TO-220 полевик 600В-4А и небольшую аналоговую схему

1. какие особенности проектирования таких кристаллов?
2. есть-ли в пакетах софта библиотеки силовых мосфетов?
3. как на кристалле реализуют высоковольтные резисторы?

Технологии "обычных" МОП/КМОП микросхем плохо подходят для изготовления мощных транзисторов - их параметры получаются в лучшем случае очень посредственными. Технологии дискретных мощных и/или высоковольтных полупроводниковых приборов плохо подходят или вообще не подходят для проектирования микросхем, особенно аналоговых.
Какие фабрики предполагаются для изготовления? Какие есть на этих фабриках технологии?

Для этих целей хорошо подойдет БиКДМОП технология, позволяющая интегрировать в кристалл высоковольтный ДМОП транзистор, и управляющую аналого-цифровую часть. Не совсем понятен вопрос, что значит библиотеки силовых мосфетов в пакетах софта. На фабрике, где Вы планируете изготавливать изделие, Вам предложат готовый PDK либо модель высоковольтного транзистора. Символ под модель создадите сами. А насчет резисторов, все зависит от схемы. Я лично с такой схемой сталкивался, тоже интегрировал в ТО-220 700В (Rdson порядка 10 Ом) транзистор с управлющей частью. К высоковольтному выводу у меня был подключен только транзистор, используя его карман (n-типа) и подложку, т.е с помощью JFET транзистора, интегрированного в высоковольтный, я понизил напряжение с высокого до 70 В. Там мне был необходим всего один резистор. Я сделал его диффузионным (слаболегированная p-область в n-кармане), с разными "головами": одна "голова" обычная - p+ область, в другой "голове" - слаболегированная p-область. Получил напряжение пробоя "голова" - карман порядка 100 В. Мне это было достаточно. Далее в схеме управления сделал шунт регулатор на 6В, и вся управляющая часть работала при питании 6 В. Для начала Вам надо найти фабрики, на которых Вы планируете изготовить изделие. Изучить их процессы с высоковолтьными опциями, а потом уже думать как и что реализовывать.

TiNat, спасибо огромное.

эта разработка идёт с нуля, есть рабочая аналоговая схема на россыпи, которую надо упаковать в корпус типа TO-220 или как компромисс гибридный модуль типа SIP...но по микросборками на форусе совсем мало и почти что матом, так что этот вариант наверное отпадает

хочу сначала вообще понять как такие вещи делают

от проектирования кристалла до корпусировки
чтобы уже предметно искать нужную фабрику и внятно беседовать с производством.

Под то, что вам нужно найти фабрику (Foundry) которая даст вам дизайн кит (PDK process Design Kit) c библиотеками нужных приборов (DMOS, резисторы и т.д.) достаточно тяжело. Уж больно специфичный процесс, мало кому нужен. Производства такие за бугром конечно есть у тех кто делает силовую электронику, но они как Foundry как правило не работают.

Хотя наверно есть, попробуйте посмотреть здесь (может не совсем то, что вам нужно)
http://www.xfab.com/en/technology/cmos/035-um-xu035/
http://www.xfab.com/en/technology/soi/10-um-xdh10/

Но даже найдя нужную фабрику, вам будет достаточно тяжело (микро это не макро)
Там своя специфика. Свой САПР, моделирование, потом то, что вам испекут нужно будет протестить, порезать, закорпусить. (В общем куча гемороя, если раньше с этим не сталкивались. И наладить это быстро крайне трудно да и дорого)

Возможен другой вариант. Обратиться к отечественному производителю http://www.angstrem.ru (не сочтите за рекламу).
Там вам скорее всего смогут и спроектировать и изготовить то что вам нужно.
А вот что-бы дать PDK вам это маловероятно (да и есть ли он у них? и по каким моделям они схемы считаю?). Нужно конечно учитывать рашен специфик.
Во всяком случае DMOS они вполне себе делают.
http://www.angstrem.ru/products/Power-Elec...chanel/500-800/

И главное договориться по сходной цене. У вас ведь первоначальная цель понизить себестоимость?

А может, все-таки, если технология Вам не близка, рассмотреть гибридный вариант - готовый чип бескорпусного мощного транзистора + чип управляющей схемы. Это может оказаться более бюджетный вариант, если надо быстро запустить изделие.
Так как действительно разные полупроводниковый приборы бывает трудно совместить в одном кристалле из различия требований к материалу (толщины слоев, легирование, контакты и т.п.)
Как папример - не каждая фабрика берется за БиКМОП.

Собственно тему я и создал для мини брейнштурма...надо проедставить картину и выбрать нужное направление

Выбор правильной стратегии зависит от желаемых вами конечных целей.
Микроэлектроника в отличие от электроники на печатной плате это другие программы проектирования, другая квалификация тех кто будет проектировать, другие деньги на изготовление, корпусирование итд.
А силовая микроэлектроника это еще и специфические вопросы из-за больших токов, мощностей, температур итд.
Вопрос в том это разовая работа или ваше новое направление...

Поэтому и создал тему

опыта проектирования на кристалле 0
вдумчиво почитал всю ветку и понял, что точно сам это делать не буду
создание системы на кристалле это в первую очередь защита от копирования
так-как разваренные чипы на плате под чёрной каплей прекрасно вскрываются с помощью горячего воздуха

если заливать плату невскрываемым компаундом, то из-за тепловых деформаций отрываются или уходят параметры SMD пассивных комплнентов.


вот и ломаю голову

Системы на кристалле это в первую очередь уменьшение размеров и себестоимости аппаратуры.
Копирование кристаллов также возможно, пусть это и сложнее чем копирование печатных плат.

PS. Если это будет "небольшая аналоговая схема", то копирование кристалла не вызовет особых трудностей. Лучший способ защиты - низкая себестоимость, ниже чем у конкурентов. имхо.

Несомненно, но одно дело сколоть схему, даже на микросборке под компаундом
другое дело сколоть кристалл

затраты на реверс инжиниринг различаются многократно.

Да. Но это делают, т.к. эти затраты часто окупаются. И в общем-то в умелых руках затраты не так велики: химреактивы для растворения пластикового корпуса или дремель - для металлокерамики, металлостекла итд. Далее опять же химреактивы для послойного снятия и хороший оптический микроскоп для фотографирования.

PS. А в случае "небольшой аналоговой схемы" имхо и без этого можно обойтись: инженер с достаточной квалификацией, посмотрев как работает ваше устройство, сможет сделать свою "небольшую аналоговую схему" с аналогичными функциями.

Всё правильно
защита делается в первую очередь от любителей халявы

Кстати, Jurenja, вы случайно не знаете нынешний порядок цен на разбор сборки или кристалла
за полный цикл-получили образец-выдали схему и спецификацию?

Про цены не подскажу - не знаю...
Работаю инженером, обсуждаю с начальством деньги только когда речь про мою зарплату)

Всё равно спасибо

Могу предложить услуги по разработке таких чипов в нашей компании.
Работаем с Тайванем VIS и Китаем CSMC
http://www.vis.com.tw/visCom/english/c_tech/c_index.jsp - техногогия UHV BCD 0.5UM 5V to 800V
http://www.csmc.com.cn/csmc-3.aspx - техногогия 1.0µm 5V to 700V BCD.

Стоимость цикла разработки до образцов - от 100K USD.
Обращайтесь если надумаете.

Спасибо

а кто знает сколько стоит реверс инжиниринг кристалла или микросборки чтобы понять степень защиты через затраты на взлом?

Точных цифр не знаю, но попробую сделать очень примерную оценку. На мой взгляд для "небольшой аналоговой схемы" с небольшим количеством металлов на получение послойных фотографий будет затрачено не больше нескольких сотен (максимум - тысяча) "зеленых денег", а восстановление схемы по фотографиям у подготовленных инженеров займет не более одной-двух недель.

Но это при условии, что уже есть в наличии оборудование/химикаты для вскрытия корпусов, послойного травления кристаллов и хороший микроскоп с фотоаппаратом для фотографирования. Если все это оборудование ради "небольшой аналоговой схемы" нужно будет покупать и обустраивать хим. лабораторию, то затраты могут возрасти многократно.
Ну и при восстановлении схемы по фото нужно примерно представлять возможный диапазон значений параметров элементов - удельные емкости конденсаторов, удельные сопротивления резисторов итд.
Ну и отдельный вопрос для тех мест, где не занимались высоковольтной микроэлектроникой - высоковольтные транзисторы. Для их понимания их внутренней структуры кроме фото сверху будут нужны также фото поперечных сколов/распилов кристалла.

Повторюсь, лучшая защита имхо - низкая себестоимость. Микросхема требует больших начальных затрат на проектирование и доведение ее параметров до требуемых, но при массовом производстве она дешевле своего прототипа на печатной плате и меньше по габаритам, что и является лучшей защитой.

Спасибо

В рамках саморазвития могу растворить корпус и сделать фотографии вашего чипа бесплатно ;-)
На данный момент больше 2-х металлов у меня точно не получится, шлифовать я пока не умею.

Примеры того, что получается по силовой электронике (тут все без травления металлов):
http://zeptobars.ru/ru/read/TNY264-Power-Integrations-ACDC
http://zeptobars.ru/ru/read/Toshiba-TB6560...er-motor-driver
http://zeptobars.ru/ru/read/MC33152-OnSemi-mosfet-driver
http://zeptobars.ru/ru/read/MC34063

Восстановлением схем занимаются другие люди, контакты их есть, но сколько у них опыта по аналоговой электронике неизвестно (схемы восстанавливались только у цифровых схем).

вот как раз моего чипа не надо