Здравствуйте коллеги.
Интересуют несколько вопросов касающихся реализации топологии МИС по технологии кремний-германий, может быть кто нибудь сталкивался?
1) каким образом в данной технологии организовано заземление? а именно используется ли проводящий слой заземления с нижней стороны подложки? и если используется то как организовать соединение элементов с ним ( например заземлить один конец конденсатора) подложка довольно толстая, порядка 300-400 микрон, может просто пустить провод с контактной площадки (GND) непосредственно к нижнему слою?

2) как например в ADS смоделировать конечные характеристики, после составления топологии с учетом паразитных параметров? т. е. использовать в качестве соединений линии передач? просто слоев в технологии очень много, и в основном все элементы находятся на нижних слоях.
я составлял топологию МШУ, соединил все элементы в нижних слоях, используя via, а далее делал выводы под контактные площадки и соединил их с элементами. но как после этого просимулировать параметры я не знаю...

и кстати, если просимулировать конечные характеристики через Momentum? можно ли результат симулирования считать конечным перед отправлением на производство?

про заземление вопрос остается открытым

Заземлить в принципе можно разваркой кристалла на металл на котором он крепится. Но смотря сколько места остается.

По поводу моделирования в ADS посмотрите здесь, найдете многие ответы на вопросы http://electronix.ru/forum/index.php?showt...5&start=165