Добрый день.
Кто может подсказать, на чем лучше делать малошумящий усилитель для звукового диапазона(несколько десятков кГц), на транзисторе или ОУ?
На транзисторе можно сделать усиление и до 1000 с резонансным контуром, а на современном ОУ можно такого достичь?
Где будет больше шумов? В ОУ или в правильно спроектированном каскаде на биполярном транзисторе?

Благодарю.
Сергей.

А где Вы возьмете резонасный контур с частотой резонанса равной ширине диапазона?

Не могу сказать что я великий спец в малошумящих усилителях, но насколько мне известно, качественный усилитель делается на инструментальном операционнике.
За счет глубокой ОС создается высокая линейность, а низкие шумы обеспечиваются самой конструкцией ОУ.
Но тут важно знать, что важнее, ширина диапазона, уровень шумов или линейность сигнала.
И учтите, ширина полосы тоже влияет на уровень шумов просто своей шириной.

По поводу просто шумов, конечно один каскад на биполярном транзисторе даст меньше шумов, чем ОУ состоящий из сотен этих самых транзисторов. Вот только, скажите, какое усиление Вы получите со своего транзистора и что за сигнал у него будет по сравнению с дифференциальным входом операционника.
Все зависит еще от уровня входного сигнала. Нужно больше информации о том, чего Вы собираетесь сделать.

Шапки бросать не надо, тут у всех свои есть.
Изложите внятно задачу, а также уровень ( курсач, диплом, недоучившийся выпускник..)

На звуковых частотах лучше ставить по входу jfet и не забыть хорошо пофильтровать питание. Основной вклад в данном случае вносит 1/f шум. Малошумящие операционники (напр. LT1115) с учетом обвязки будут пошумней.

http://www.techlib.com/files/lowamp.pdf

Я согласен с TSerg. Пока не знаем хотя бы что является источником сигнала обсуждать, что менее шумное, смысла нет.