Решил собрать усилитель на 50В по данной схеме http://digit-el.com/files/circuits/hvamp/hvamp.html Вместо транзисторов VT3, VT4 в выходном каскаде, использую полевые транзисторы N и P типа соответственно, рассчитанные на макс. напряжение ЗИ равное 100В. Резисторы R7, R8 взял по 10мОм. Дело в следующем, при подаче питания в 50В на транзисторе, на выходе получается синусоида с амплитудой в 49 вольт, при подаче большего напряжения полуволны начинает обрезать, и чем больше напряжение питания, тем больше обрезает. Получается, что полевые транзисторы уходят в область отсечки???Но я мерял вольтметром в мультисиме напряжение ЗИ, оно находится в диапазоне открытия транзистора P типа во время всей положительной полуволны и N типа во время всей отрицательной, тогда почему они обрезаются???

Как можно менять биполярные транзисторы на полевые у них же абсолютно разные условия работы
Как нас учили правда почти 20 лет назад при использовании биполярных транзисторов оперируют токами, а у полевых напряжением
У биполярного транзистора задается рабочая точка в вашей схеме R1-4

Ну всё так, верно. Этими резисторами задаётся напряжение Uзи, я писал про него выше

При питании 50 В на транзисторах 100 В и их внутренние ограничители (те, которые в паспортах рисуют параллельно каналу, с хвостиками, но чаще их называют и рисуют паразитными диодами) закрыты.

При дальнейшем увеличении напряжений питания симулятор их честно открывает, так что при напряжениях источников 101 В он должен показать Вам виртуальную вонь, дым и взрыв данных транзисторов.

В реале эти ограничители не настолько математически точные и открываются при 110% и более.

тогда думаю нужно подбирать номиналы R1-4 таким образом чтобы эти делители обеспечивали должное падение напряжения для управления полевиками

Всё, понял свою ошибку, подобрал транзисторы с большим Uds и всё заработало, спасибо!