Ячейка динамической памяти построены на основе конденсатора и полевого транзистора.
Очень нужно узнать, хотя бы приблизительно:
- какова емкость конденсатора ячейки современной оперативной памяти (например, DDR3 SDRAM)?
- каково сопротивление сток-исток полевого транзистора такой ячейки?
Нигде не могу найти эту информацию.
Может, кто может дать ссылку, где посмотреть
Полная версия этой страницы: Емкость конденсатора ячейки DDR SDRAM
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника > Цифровые схемы, высокоскоростные ЦС
Цитата(files @ Feb 16 2014, 21:13) 
...Очень нужно узнать, хотя бы приблизительно:
- какова емкость конденсатора ячейки современной оперативной памяти (например, DDR3 SDRAM)?
...
- какова емкость конденсатора ячейки современной оперативной памяти (например, DDR3 SDRAM)?
...
Частично полезная информация:
...При DRAM технологии ~300нм ёмкость была порядка 300fF...
При DDR технолгии ~30нм ссылка показала 25fF.
http://www.google.ru/url?sa=t&rct=j&am...bGE&cad=rjt
(про параметры страница 11)
Не думаю, что емкость можно уменьшать слишком сильно, т.к. токи утечек по прежнему будут определять минимальный период регенерации...
Но мир не стоит на месте... :-))
Примерно так...
На 90нм, емкость 30 фФ, ток утечки примерно 1 фА (это точные данные, но не могу сказать, сами понимаете почему, от какой именно технологии какой именно фабрики).
А кроме TMSC еще есть? Или чего там, Интель?
SMIC, UMC, сасунг, микрон, huynix, nanya, toshiba, x-fab, и т.д. толпа их
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.