Добрый день,

знающие, подскажите, пожалуйста, какие толщины пассиввации (Si3N4) могут обеспечить производители в стандартном техпроцессе и без значительного удорожания?
Поцесс CMOS 0,6мкм.

Сейчас нам делают прибор с толщиной пассивации 600 нм. По определённым причинам актуально увеличить эту толщину.

спасибо!

Не думаю, что для производств существуют большие сложности увеличить толщину пассивации. У нас для 0,6 мкм КМОП процесса толщина Si3N4 равна 1мкм +(-)0,05 мкм.

Спасибо!
А вот подумалось, что не так легко изменить в рамках стандартного техпроцесса.
Ведь это не только время пассивации, например. Но и последующая операция травления для вскрытия контактных площадок... Дороговато встанет такая перенастройка из-за желания одного потребителя.

Не всегда, но часто, у производителей есть выбор по какому маршруту проводить операцию. Это означает, например, что отработан блок операций, позволяющих наносить/травить толщину пассивации 0,6мкм, 1 мкм, 2 мкм и т.д. Это выражается в присвоении операции определенного кода и, человек, отвечающий за создание полного маршрута изготовления (технолог), может выбрать из имеющихся кодов необходимый (по сути по желанию заказчика). Поэтому Вам проще спросить готовые отработанные режимы на фабрике, где планируется производство. С большой долей вероятности увеличение толщины пассивации в разумных (заранее известных) пределах - не проблематично.