Добрый день!
Использую NAND MT29F8G08ABABA. Стоит задача найти Bad Block при первом включение. У м/с есть команда READ PARAMETER PAGE (ECh) с помощью которой читаю параметр страницы Bad blocks maximum per LUN (2 байта), значения равны 28 и 00 согласно datasheet. Что означают эти значения, как это понимать, поясните пожалуйста? Команда READ PARAMETER PAGE имеет 2 цикла: команда и адрес. В данной команде посылаемый адрес это адрес блока?
Спасибо.

Никак нельзя найти бэд-блоки, кроме как просканировав весь массив.

Можно вопрос по NAND почти в тему?

Заметил в одном устройстве, что при загрузке бутлоадера бэд блок детектируется так: считываются первые 6 OOB байт первых двух страниц блока и сравниваются с 0xFF.
Если хоть один байт не равен 0xFF - блок считается битым.

При этом код бутлоадера и UBOOT на флехе лежат в единственном экземпляре, пусть и с 4-ёх битной ECC.

А как же быть с Bit Disturb у NAND памяти - если хоть один битик из области OOB "проморгнет" в нолик - блок забракуется, даже несмотря на то, что все остальные данные в порядке!
В итоге система не загрузится.

Неужели вероятность этого настолько мала, что разработчики даже не удосужились разместить дополнительные копии загрузчиков?

Рекомендую посмотреть стандарт на память, ONFI какой-то там (в даташите на микросхему указано какому стандарту она соответствует).
В стандарте все прописано + пример на псевдокоде, привожу какой-то свой старый скриншот из onfi 2.2.

Вкратце, для новой микросхемы с завода помечают - на самой первой странице каждого блока (хотя в стандарте написано, что может быть и последняя страница), 1й байт(слово) в дополнительной области (spare area). Если он равен 0, а не FF это заводской битый блок