Помощь - Поиск - Пользователи - Календарь
Полная версия этой страницы: Глупые вопросы по диодам
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника > Rf & Microwave Design
Anatol'
Здравствуйте, товарищи!

Подскажите, пожалуйста, как изменяется ВАХ диода с повышением частоты при наличии постоянного прямого смещения? Чем определяются эти изменения?
Какие лучше диоды выбрать, если хочется, чтобы "мгновенная ВАХ" (соотношение мгновенных значений напряжения и тока) в таком режиме не сильно менялась для широкополосного входного сигнала в пределах DC-500 МГц?

Моих отрывочных знаний хватает, чтобы предположить, что у прямосмещённого диода не должно быть проблем с ВЧ вплоть до проявления эффектов подвижности носителей или чего-то в этом роде, а то и дальше. А это (интуитивно) будут частоты уже ощутимо выше 500 МГц. Но уверенности, конечно, нет.


PS Бонусом был бы очень рад какой-нибудь книжке по поведению полупроводников на высоких частотах, как можно ближе к практике. Чтобы были не только зонные диаграммы и вывод развесистых формул (что тоже полезно), но и практические следствия всего этого и примеры использования эффектов или борьбы с ними.

PPS Аналоговые ВЧ для меня тема довольно новая. На данный момент хочется сконструировать что-то вроде логарифмического усилителя или компрессора для сигнала "а-ля осциллограф" (то есть большее значение имеет time-domain представление сигнала, а не частотное) с полосой DC-500 МГц. Ну или разобраться, почему это невозможно или непрактично, если вдруг окажется так.
V_G
Поясните термин "ВАХ при наличии постоянного прямого смещения". Если смещение постоянно, традиционная ВАХ не выстроится.
Термин "мгновенная ВАХ" тоже непонятен.
Anatol'
Цитата(V_G @ Nov 23 2014, 18:05) *
Поясните термин "ВАХ при наличии постоянного прямого смещения". Если смещение постоянно, традиционная ВАХ не выстроится.
Термин "мгновенная ВАХ" тоже непонятен.

Традиционная ВАХ не нужна, что бы это ни значило ) Нужна "какая-нибудь нелинейная" rolleyes.gif По возможности, не зависящая от входной частоты.

Попробую перефразировать. Входной сигнал подаётся на диод, скажем, в виде тока. Этот ток меняется во времени, и довольно быстро, но не меняет своего знака, таким образом диод всегда работает в режиме "прямого смещения". Это обеспечивает отсутствие накопления заряда на p-n переходе. Падение напряжения на диоде считаем выходным сигналом.
У этой системы есть передаточная характеристика - зависимость выходного напряжения от входного тока.

Можно ли утверждать, что эта характеристика не зависит от скорости изменения входного сигнала? До каких скоростей изменения (частот) это утверждение верно?
Паразитная ёмкость в таком режиме получается около ноля. Индуктивностью выводов тоже пока пренебрежём для ясности. Остаются ли какие-то ещё факторы, которые делают эту систему частотно-зависимой? Подвижность носителей заряда, ещё что-то? Или больше ничего?
magnum16
Диод обладает нелинейной емкостью.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
В книгах по spice часто подробно изложено поведение реального диода и его модели в разных режимах. Страница выше взята из http://www.amazon.com/Semiconductor-Device...o/dp/0071349553

еще страницы по теме:
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла
Anatol'
Цитата(magnum16 @ Nov 23 2014, 20:25) *
Диод обладает нелинейной емкостью.
В книгах по spice часто подробно изложено поведение реального диода и его модели в разных режимах. Страница выше взята из http://www.amazon.com/Semiconductor-Device...o/dp/0071349553
...

Спасибо за зацепку!
Как минимум, до меня дошло, что при прямом смещении ёмкость не пропадает полностью, а убывает постепенно, что логично.
На этих страницах описана практически только ёмкость при обратном смещении диода. Не знаю, есть ли там для прямого, книгу целиком добыть не удалось ни вгугляя, ни в закромах. Зато отлично нагуглилась книжка, на которую они ссылаются
Цитата
ANALYSIS AND DESIGN
OF ANALOG INTEGRATED CIRCUITS
PAUL R. GRAY
PAUL J. HURST
STEPHEN H. LEWIS
ROBERT G. MEYER

Тут что-то есть про прямое (и для обратного смещения тоже более развёрнуто). Пока читаю.
ledum
Цитата(Anatol' @ Nov 24 2014, 08:54) *
Как минимум, до меня дошло, что при прямом смещении ёмкость не пропадает полностью, а убывает постепенно, что логично.

Кгм, лучше тогда почитать по-русски.
http://jstonline.narod.ru/eltehonline/elte...elteh_a0b0d.htm
и
http://foez.narod.ru/n3.htm
Anatol'
Цитата(ledum @ Nov 24 2014, 13:25) *
Кгм, лучше тогда почитать по-русски.
http://jstonline.narod.ru/eltehonline/elte...elteh_a0b0d.htm
и
http://foez.narod.ru/n3.htm

Окей, тут получается, что растёт. А в приведённых ранее английских текстах отчётливо виден спад "самого достоверного" пунктирного графика после фи-ноль.
Кому верить? Я уже окончательно запутался.

И как хотя бы по порядку величины определить ёмкость реальных диодов при прямом смещении, если в датащитах она всегда нарисована только для обратного?
У диодов Шоттки она вроде бы должна быть меньше? Или не должна?

Как-то же диоды применяют в ВЧ и СВЧ - в качестве детекторов, смесителей - как там оценивают ёмкость? Или там не прямое смещение? в каком они там вообще режиме работают?

Спасите мой мозг, товарищи!..
K0nstantin
Цитата(Anatol' @ Nov 24 2014, 13:56) *
Окей, тут получается, что растёт. А в приведённых ранее английских текстах отчётливо виден спад "самого достоверного" пунктирного графика после фи-ноль.
Кому верить? Я уже окончательно запутался.

И как хотя бы по порядку величины определить ёмкость реальных диодов при прямом смещении, если в датащитах она всегда нарисована только для обратного?
У диодов Шоттки она вроде бы должна быть меньше? Или не должна?

Как-то же диоды применяют в ВЧ и СВЧ - в качестве детекторов, смесителей - как там оценивают ёмкость? Или там не прямое смещение? в каком они там вообще режиме работают?

Спасите мой мозг, товарищи!..


Мне тоже было всегда интересно как измеряют ёмкость диода Шоттки в прямом направлении...
magnum16
Цитата(K0nstantin @ Nov 24 2014, 13:07) *
Мне тоже было всегда интересно как измеряют ёмкость диода Шоттки в прямом направлении...

Примерно так же, как и в обратном. Отдельно подают смещение, а через емкость синус небольшой амплитуды. Измеряют ток и вычисляют емкость. Сложности могут быть с нагревом диода, тогда измеряют в импульсном режиме.

upd: прикрепил статью Capacitance measurements of p-n junctions: depletion layer and diffusion capacitance
contributions
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
EUrry
Насколько позволяют мне остаточные знания, есть понятие барьерной и диффузионной емкости. Барьерная - при обратном смещении, диффузионная - при прямом. Причем, диффузионная во много раз больше барьерной, но при этом шунтирована низким сопротивлением прямосмещенного перехода. Барьерная используется иногда даже в качестве "полезной" - в варикапах. А вот от диффузионной толку никакого. Она-то как раз, наверное, с подвижностью носителей и связана, т. к. обусловлена их рассасыванием.
SNGNL
Цитата(Anatol' @ Nov 23 2014, 18:22) *
Остаются ли какие-то ещё факторы, которые делают эту систему частотно-зависимой? Подвижность носителей заряда, ещё что-то? Или больше ничего?

Таких факторов достаточно много (плотность тока, концентрация примесей и тип носителей заряда и т.п.), но их влияние проявляется только в определённых условиях.
ledum
Цитата(EUrry @ Nov 25 2014, 19:07) *
А вот от диффузионной толку никакого.

Излом диффузионной и барьерной емкостей - основной фактор работы умножителей в режиме с частичным отпиранием - имеющих максимальный КПД на сантиметрах. Всех этих ДНЗ типа 2А604х, 2А609х и т.д. Их очень хорошо умели использовать специалисты какого-то института в Горьком. Салют, кажись кликался. Децимальники на "тг" маленькими.
kovigor
Цитата(ledum @ Nov 25 2014, 22:35) *
Излом диффузионной и барьерной емкостей - основной фактор работы умножителей в режиме с частичным отпиранием - имеющих максимальный КПД на сантиметрах.

Ledum, я давно хотел вас спросить. Вот по НЧ - схемотехнике есть хорошая книжка - Хоровиц с Хиллом. А по ВЧ - схемотехнике есть нечто подобное ? Не СВЧ, а просто ВЧ, примерно до 1 ГГц. Можно на английском ...
ledum
Цитата(kovigor @ Nov 25 2014, 22:18) *
Ledum, я давно хотел вас спросить. Вот по НЧ - схемотехнике есть хорошая книжка - Хоровиц с Хиллом. А по ВЧ - схемотехнике есть нечто подобное ? Не СВЧ, а просто ВЧ, примерно до 1 ГГц. Можно на английском ...

Трудно сказать. Так получилось, что я сразу попал со 155ЛА3 и усилителя Решетнякова аля Квод 405 на частоты выше 9ГГц и до 16ГГц. А вниз опускаться было проще. Начинал с Бова Н.Т. Ефремов Ю.Г. Конин В.В. Микроэлектронные устройства СВЧ (1984), Очень доходчиво потом было все описано в Веселов Г.И. Микроэлектронные устройства СВЧ (1988). Но это таки СВЧ, не ВЧ. В этой области большую роль играет общение с опытным народом - мне повезло - Исток (фрязинцам отдельное огромное спасибо), Салют, ВНИИРА, ЛНИИРТИ, казанцы по самым разным Паролям, челябинцы по системам посадки. И изучение чужих наработок. Особенно когда за плечами нет радиотехнического образования от слова совсем.
EUrry
Цитата(ledum @ Nov 25 2014, 22:35) *
Излом диффузионной и барьерной емкостей - основной фактор работы умножителей в режиме с частичным отпиранием - имеющих максимальный КПД на сантиметрах. Всех этих ДНЗ типа 2А604х, 2А609х и т.д. Их очень хорошо умели использовать специалисты какого-то института в Горьком. Салют, кажись кликался. Децимальники на "тг" маленькими.

Ну, может быть... Я пишу, что знания остаточные и начальные вузовские. А "Салют", кстати, диоды сам и делал еще.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.
Invision Power Board © 2001-2025 Invision Power Services, Inc.