Нужно промоделировать схему,в которой есть npn СВЧ транзистор 2Т3124А-2(его аналог 2N6617).В интернете есть только даташиты на эти элементы.Для Pspice модели во всех программа(OrCAD,Altium,MicroCAP) требуются одни и те же параметры:
• Ideal forward beta BF (100) Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ;
• Saturation Current IS (1e-016) Ток насыщения при температуре 27°С (А);
• Forward emission coefficient NF (1) Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима;
• Forward Early voltage VAF (∞) Напряжение Эрли в нормальном режиме (В);
• Forward beta roll-off corner current IKF (∞) Ток начала спада зависимости BF от тока коллектора в нормальном режиме (А);
• B-E leakage saturation current ISE (0) Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер (А);
• B-E leakage emission coefficient NE (1.5) Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода;
• Ideal reverse beta BR (1) Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ;
• Reverse emission coefficient NR (1) Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима;
• Reverse Early voltage VAR (∞) Напряжение Эрли в инверсном режиме (В);
• Reverse beta roll-off corner current IKR (∞) Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме (А);
• B-C leakage saturation current ISC (0) Ток насыщения утечки перехода база-коллектор (А);
• B-C leakage emission coefficient NC (2) Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода;
• Zero bias base resistance RB (0) Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер (Ом);
• Minimum base resistance at high currents RBM (RB) Минимальное сопротивление базы при больших токах (Ом);
• Current for base resistance=(rb+rbm)/2 IRB (∞) Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50 % полного перепада между RB и RBM (А);
• Emitter resistance RE (0) Объемное сопротивление эмиттера (Ом);
• Collector resistance RC (0) Объемное сопротивление коллектора (Ом);
• Zero bias B-E depletion capacitance CJE (0) Емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении (Ф);
• B-E built in potential VJE (0.75) Контактная разность потенциалов перехода база- эмиттер;
• B-E junction grading coefficient MJE (0.33) Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода;
• Ideal forward transit time TF (0) Время переноса заряда через базу в нормальном режиме (сек);
• Coefficient for bias dependence of TF XTF (0) Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор;
• Voltage giving VBC dependence of TF VTF (∞) Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор (В);
• High current dependence of TF ITF (0) Ток, характеризующий зависимость TF от тока коллектора при больших токах (А);
• Excess phase PTF (0) Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора f=1/2π*TF;
• Zero bias B-C depletion capacitance CJC (0) Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении (Ф);
• B-C built in potential VJC (0.75) Контактная разность потенциалов перехода база- коллектор;
• B-C junction grading coefficient MJC (0.33) Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода;
• Fraction of B-C cap to internal base XCJC (1) Доля барьерной емкости, относящаяся к внутренней базе;
• Ideal reverse transit time TR (0) Время переноса заряда через базу в инверсном режиме (сек);
• Zero bias C-S capacitance CJS (0) Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении;
• Substrate junction built in potential VJS (0.75) Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка (В);
• Substrate junction grading coefficient MJS (0) Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка;
• Forward and reverse beta temp. exp. XTB (0) Температурный коэффициент BF и BR;
• Energy gap for IS temp. dependency EG (1.11) Ширина запрещенной зоны (эВ);
• Temp. exponent for IS XTI (3) Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS;
• Forward bias junction fit parameter FC (0.5) Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов;
• Flicker Noise Coefficient KF (0) Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликер-шума;
• Flicker Noise Exponent AF (0) Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликер-шума от тока через переход.
Как я и предупреждал, количество параметров в раскрывающемся списке для транзистора очень большое, и в него попали почти все параметры модели за исключением следующих:
• Initial B-E voltage ICVBE (-) Начальное (стартовое) напряжение база-эммитер;
• Initial C-E voltage ICVCE (-) Начальное (стартовое) напряжение коллектор-эммитер;
Не понятно,откуда брать эти параметры(кроме бетта) или как их высчитать?Или возможно как то даташит преобразовать в модель для моделирования?Или может быть где-то есть готовая модель?Но я не смогла найти именно на этот транзистор и на его аналог.

1. Spice-модели на российские и т.п. девайсы не создаются производителями от слова совсем.
2. Для некоторых российских девайсов существуют spice-модели, созданные любителями, но доверять таким моделям особо не стоит.
3. Некоторые параметры spice-модели можно извлечь из даташитов.
4. Искать spice-модели, для зарубежных девайсов, надо на сайтах их производителей.

2N6617, как минимум, производился Siemens, HP + Agilent.

http://www.hp.woodshot.com/hprfhelp/5_down...xrlit/an967.pdf

Спасибо,но этот даташит на HXTR-6101.А моему соотвесвует HXTR-6001.И даташиты я нашла.проблема именно с Pspice-моделями.Сайты производители этот транзистор не находят:http://www.chem.agilent.com/search/?Ntt=2N6617 -Siemens, HP-также не находят(
какие параметры можно извлечь из даташита?

Для зарубежных эти параметры вычисляются из даташита, других источников информации нет.
Для российских вычисляются из параметров приведенных в справочниках, а лучше всего, если найдете, технические условия на них аА0. 339.198ТУ

Попробуйте почитать книги:
Уве Наундорф "Аналоговая электроника. Основы, расчет, моделирование" пер. с нем. М.:Техносфера 2008
Бочаров Л. Н. "Эквивалентные схемы и параметры полупроводниковых приборов" Массовая радиобиблиотека. Вып. 828 М., <Энергия> 1973

Добавлю, что существуют программы, аппроксимирующие параметры SPICE модели по классическим параметрам и графикам из даташитов. Например, model в MicroCap (в МС8 отдельная программа, в MC9 уже встроенная, File->New->Model) - она поможет сделать модель по документации, в которой есть достаточно графиков зависимостей различных параметров, ну либо по результатам снятия этих характеристик вживую. В ней уже меню Model->View->All Graphs (ну или выбрать конкретный) и погнали (на графиках точки расставлять, соответствующие реальности транзистора, и оптимизировать параметры SPICE, кнопкой "Optimize", под то, чтобы около-такие зависимости получились)...