Никогда раньше не трогал подобных однокристальных таракашек, но вот пришлось.

Схема включения из какой-то девборды, 868 МГц.

Проблема в том что выходная мощность не достигает и милливатта (на 50-омный вход осцилла).
Хотя в даташите оговорок по поводу низкого питания нет.

То ли я забыл поставить какой-то волшебный бит, то ли при низком питании как-то по другому включать надо?

Да все там описано. Да битик нужно поставить - v (Прочитать даташит внимательно, апликейшен нотес)
Выходной усилитель там отделен по питанию и питается как бы отдельно, его VDD = 2.4 V to 3.7 V; никаких 1.8V там не дадут того что описано.

Датошыт rev.3, стр. 81::
This includes up to +17 dBm of RF output power which is maintained from 1.8 V to 3.7 V and +20 dBm from 2.4 V to 3.7 V.

Ну приведены максимальные значения, которые могут быть получены. Какой режим то у вас выбран? Настороек то там оч много.

Да где много-то? Всего несколько регистров, которые хоть как-то имеют отношение к делу.

Для простоты оставляем всё по дефолту, ставим только частоту и битик TxContinuousMode, чтобы всё время лучило, и переходим в режым TX. Всё.

Кручение регистра PaConfig даёт эффект, но повторяю, максимальная мощность менее милливатта.

Все остальные опробованные мной битики никак ситуацыю не меняют.

это при каком питании? От 3,3V пробовали?

При 1.8. А прежде чем плату ломать на 3.3, желательно бы понять в чём дело и какие перспективы....

Я не знаю, как правильно, но я делаю так. Повторяю референс дизайн, исследую, добиваюсь заявленных характеристик, а уж затем начинаю "издеваться". Всё дело в том, что референс дизайнс является той опорной точкой в исследованиях, которые неизбежно появятся в будущем. И как, простите, понять что-то в работе прибора, если сравнивать не с чем?

Слишком осторожный подход. Подаете 3.3V и контролируете ток, если в норме смело работает дальше.
А у меня такой вопрос. Врет или не врет Симтек насчет мощности. Диапазон 800МГц, использую Boost и хочу на всех образцах получить обещанные 20 dBm. На демо борде они демонстрируют, что нет проблем, это у них, а вот у меня проблемы. Я подстройкой цепи согласования добивался в лучшем образце 19.2 dBm, а так в основном порядка 18.3. Это разброс критсталлов или тщательней товарищу надо тюнить? Изготовлено не менее 10 образцов и выжать мощность не удалось. Есть такой опыт?

На каком материале делали? Какой вид модуляции и как и чем меряяли? Обещанные 20 dBm получаю, даже на китайских.
Разброс имелся на сотни 19.6 ... 20.2 dBm. Измерял на 50 Омном эквиваленте, OOK. Питание 3.3V

Материал обычный FR4 0.2mm (Top-Gnd, далее еще слой. Трансивер+ контроллер). Измерение анализатором спектра и измерителем мощности. Показания одинаковые. Модуляция ООК, НЧ bit rate в режиме непрерывного излучения. Выходная цепь согласования разная. От простейшей до полной. Вопрос. Вы собирали полный аналог эвал. борда выходной цепи или корректировали схему? Полный аналог это схема PCB_E266V02A, BOM # V1a.

Что это за FR4 0.2mm? Не понял что это и как это у вас?
Схема PCB_E266V02A требовала корректировки. Измеряли, считали (не их кривым тулсом), собирали, померяли.

Диэлектрик FR4, толщина 0.2мм. Вот я о том же. Они под грифом CC скрывают импеданс Boost на верхнем диапазоне. Дальше 400МГц они боятся выкладывать. Беру на 400 14+j*1.1 и считаю. Их схема в диз ките и близко не ложится (мощность кстати тоже не вижу), а то что получается из расчета выдает мощность, но не 20dBm. Значит импеданс не тот. Далее надо гадать.

Диэлектрик FR4, толщина 0.2мм - а откуда такое? До каких частот епсилон нормирован? Или у вас все коротко. Последнее время не встречаю такую древность, полиамиды в основном. Может в такой тонкой плате что-то не так?

Ничего себе древность. 90% дизайна на FRе, встречаются даже конструкции на 20ГГц. 20 конечно это слишком, но 10ГГц спокойно работает. Кто то забросает сейчас камнями, но низкобюджетные именно так и делаются, а 800 МГц так даже сильно жалко тратить деньги на FR. Я бы на этих частотах перешел на папиросную бумагу прессованную. Епсил 4.4 до 4ГГц смело, ну есть разброс 0.1 и что с этого. Тангенс 0.02 на 800 можно о нем забыть (если конечно не делать полоски в несколько метров).
Касательно полиамидов, так сильно удивили. И кому они нужны. Еще в 80-х страдали такой древностью и ваяли рсв до 30 слоем. А технология какая, это же жуть... Похоже мы с разных планет.
Немного нашел времени и еще раз пересчитал согласование в 1276 привязавшись к Z=14.0-j*1.1. Выбросил всю согласующую схему симтековскую и нарисовал свою. Рисовать там конечно нечего, но просто до глубины возмущает их подход. Вот Вам мужики отстойный транзистор в Boost-е а дальше трава не расти. Жаба давит дать все импедансы по диапазону? Перепаял, схема выдала 19.5dBm. Цепь согласования крути не крути съедает 0.3dB потерь. Ну так в принципе можно жить, но чего то они не догоняют. Если такие законники, вот стандарт 20 dBm и никак, но ума много не надо- по дороге согласование и фильтр, плюс свитч и получится 0.7 как минимум потерь, так и выдайте с чипа 21dBm. Написал им все что думаю об этом и почти по русски. Жду ответ. А схему согласования передатчика от симтека выбросить в мусорн ящик. Так всем надо и передать.

Ну вот и вы подтягиваетесь к заявленым 20 dBm. Симтек завлек только лорой, их ВЧ_шники еще те, ... студенты. По моему компания ника не ВЧ_шная, отсюда и такое творится, также и другими RF чипами.