Доброго времени суток.
В связи с построением нелинейной модели транзистора возник вопрос в оценке параметров эквивалентной схемы самого кристалла транзистора. В зарубежных статьях для этих целей используют измерения S-параметров на пластине, но в моем случае это невозможно. Поэтому возник вопрос в целесообразности проведения электро-магнитного расчета кристалла транзистора. Кто-нибудь занимался чем-то подобным и стоит ли вообще за это браться?

Не понятна суть вопроса.
У Вас нет возможности измерения S-параметров на пластине или S-параметров вообще? При желании можно померить S-параметры кристалла транзистора в корпусе с de-embedding'ом цепей.
Что вы хотите получить ЭМ-расчетом? Параметры эквивалентной схемы, S-параметры транзистора?

Нет возможности измерить S-параметры на пластине. Хочу получить S-параметры кристалла.
На сколько я понимаю вытащить параметры кристалла на фоне сопротивлений проволочек и др. паразитов с приемлемой точностью deembeding'ом достаточно сложно, если вообще возможно.
ЭМ-анализом думаю получить паразитные индуктивности и сопротивления металлических шин кристалла транзистор. В первом приближении можно зарисовать топологию шин и посчитать.

Если есть нормальные исходные данные (gdsII, поперечное сечение подложки и описание слоев), то при должном умении точность ЭМ-анализа может быть достаточно высока. Для этих целей зачастую применяют 2,5D симуляторы, интегрированные, например, в ADS, IE3D, Sonnet, MWO и мн.др. СВЧ-САПР. В ряде зарубежных публикаций, когда у авторов не было возможности провести "честный" де-эмбеддинг, применяли результаты ЭМ-анализа. Статей на данный счет великое множество. Также нельзя отбрасывать фактор технологии: для А3В5 проще и точнее, чем для кремния_ИМХО.
Ситуация кардинально меняется, если есть только сам кристалл без исходных данных. Можно примерно оценить визуально средствами современной микроскопии длину МПЛ, размер КП и др.элементов, но точность будет весьма посредственная: достаточная для прикладных исследований, но не для построения "боевых" нелинейных моделей.
И опять же каков частотный диапазон применимости модели?

Про ЭМ-моделирование корпуса транзистора - действительно статей много, а вот про ЭМ-моделирование кристалла транзистора не попадалось совсем. Не поделитесь примерами или ссылками?


Предполагается использовать в S-диапазоне.

Использование результатов ЭМ-анализа для деэмбеддинга: не совсем транзистор, а индуктивность на кремнии из открытых источников:
http://www.integrandsoftware.com/papers/RFIC07.pdf

В части деэмбеддинга транзистора можно посмотреть работу, например R. Torres-Torres. Analytical model and parameter extraction to account for the pad parasitics in RF-CMOS / IEEE Transactions on Electron Devices, Volume:52 , Issue: 7, 2005.

Раз Вы перед собой поставили такую задачу, то наверняка пользуетесь ADS. Среди готовых примеров можно постмотреть, например, ЭМ-модель для усилителя на A3B5 подложке ...examples\MW_Ckts\MMIC_AmpEM_Sims_wrk.

Надеюсь хотя бы частично помог.

Пока еще думаю ставить такую задачу или нет) Поскольку за рубежом наверняка уже есть какой-то опыт в этом плане, то заново изобретать велосипед не хочется и с другой стороны слишком упрощать задачу тоже может не иметь смысла.
Поэтому пока знакомлюсь с литературой.
Спасибо за Вам за ссылки.