Здрасьте, осталась пара вопросов (применительно к обратноходовой и прямоходовой топологиям ИП например), после прочтения бумажки :
http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=30537
1) Можно ли по полному заряду затвора рассчитывать время включения при определенном токе? Это достаточно достоверный параметр?
2) По какому параметру выбирать время включения - скорость изменения напряжения (dv/dt)?
Время обратного восстановления диода (сначала закрывать диод, а потом открывать транзистор)?
ЭМС (это мне не очень понятно как учесть)?

Например транзистор SPP11N80C3 Инфиниона, полный заряд затвора (при 13 В на нем) - 80 нКл. Ток в 2 А включит транзистор за 40 нс,
диод закроется за например 35 нс, при включении с 400 В dv/dt составит 10 В/нс, а транзистору можно 50.
Есть ли ошибки в таком рассуждении или все впорядке?

Уважаемые модераторы, возможно тему стоит перенести в раздел про силовую технику?

Не стоит писать такое. Для этого есть жалобная кнопка. Вот я ее нажала.

Это и есть силовая техника. Мне кажется, раздел вполне подходящий. А что немедленных ответов нет, так придётся проявить терпение...

Можно - по заряду Миллера.

Для импульсов трапецевидной формы спад спектральных составляющих вначале составляет 20 дБ на декаду, а начиная с частоты 1/pi*tф - 40 дБ на декаду. Теоретически "завалив" фронт можно уменьшить уровень вч гармоник, но на практике этому сильно мешают паразитные резонансы схемы.

Спасибо, буду знать.


Сначала разместил тему в разделе для начинающих, насчет терпения - понял.


Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Смотреть на этот график (из паспорта)? Или на кривые тока и напряжения при включении из руководства (документ в первом посте)? Про фронт интересно -
чем он длиннее, тем ниже частота, где начинается 40 дБ/дек, правильно понял? Ну и вопрос остается -
по какому из параметров выбирается время включения? Или чем быстрее тем лучше?

Смотреть Qgd в таблице характеристик (в паспорте).

В общем - да, потери на переключение меньше. А касательно ЭМС - тут нет никакой количественной теории, только экспериментальная проверка на макете.

Значения кстати похожи - в паспорте это 25 нКл, по графику выйдет 30 в конце плато. При таком количестве кулон в затворе он откроется полностью,
а дальше только сопротивление канала немного упадет? Казалось бы это должно произойти очень быстро, 2 А зарядят за 15 нс, бывает ли так в суровой реальности?

А что написано в даташите про время включения? Параменты td(on) и tr

http://www.vishay.com/docs/73217/73217.pdf

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-SPP1...123a9132fee5c9a
В паспорте только первый участок (время задержки включения) - 25 нс, напряжение на затворе и сопротивление в его цепи
правда не способствуют низкому времени переключения, как мне кажется.


Спасибо, прочитал, посмотрел на результаты, теперь есть ощущение, что особенно опираться на расчеты не стоит.
За ответы тоже спасибо, по этому поводу вопросов больше вроде и нет.

Расчет времени переключения позволяет получить оценку потерь "снизу", т.е. отсеять заведомо неудачные варианты транзисторов, радиаторов и пр. Но расчет не гарантирует, что точка теплового равновесия будет именно там, где ее посчитали.