Здравствуйте! Может кто подсказать, как интегральная мощность (надеюсь перевел и понял правильно) watt-squared-seconds (P2t) связана с safe operating area (SOA)?
Расчитал по примеру design example, получил значения P2t, и не понимаю что дальше с ними делать.
В том же design example просто написанно что полученнные значения P2t находятся в пределах SOA.
Как понять, что полученные значения P2t находятся в пределах SOA выбранного транзистора? (FDMS3662)
Если смотреть на значения Id и Vds транзистор подходит, но зачем тогда расчитывать P2t?

Тоже разбирался с защитами от Linear, в итоге взял транзистор из даташита(подходил по проекту), а расчет ниасилил...может стоит написать в техподдержку LT(если с английским норм).

Берете Ваше значение P2T и делите его скажем на 10ms. Получаете P^2, берете корень, получаете P для 10ms.
Теперь на графике SOA транзистора строите кривую Вашего P.
И смотрите ниже она кривой на графике или выше. Если выше, транзистор не подходит. Если ниже все ок.

чтоб транзистор не перегрелся

Спасибо за ответ.
Но по-прежнему не понятно зачем тогда в даташите считается параметр P2t(мощность возводится в квадрат и умножается на время), чтоб его потом преобразовывать обратно в мощность? Какой тогда смысл этого параметра?
Получается, мы делаем обратные действия, описанные в Design Example.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Его очень любят сами производители полупроводников и используют при проектировании транзисторов, а разработчики делают так как сказал agregat.
Только время нужно брать не 10 мс, а то, которое у Вас посчиталось.

MikeSchir,
Спасибо! Теперь стало понятно зачем этот параметр)



Так и сделал.

Автор! Кросспост запрещён п.3.2. Правил. Темы соединил. Предупреждение пока "устное".

Добрый вечер!
Имеется плата с этой микросхемой и DC/DC.
Была ли у вас такая проблема?
Выставлен порог включения (9.2В). Без нагрузки все все четко включается и выключается при плавном изменении входного напряжения.
Но под нагрузкой (на входе ток 1.5-2А), при плавном повышении напряжения можно поймать диапазон (примерно 9.2-9.3В), когда микросхема включается (ENOUT в "1"), а напряжение генерируемое на затворе (HGATE) не достаточно для полного открытия первого транзистора (на выходе микросхемы около 5В). В результате есть шанс спалить входной транзистор.

Может ли это быть влиянием шумов импульсников?
Неправильно выбран входной транзистор (IPB042N10N3)?
Импульсники должны строго включатся по ENOUT + задержка?
Или так оно и работает?

С учётом того, что данное напряжение создаёт внутренняя помпа, чем и как Вы её деятельность измеряли?

Вывод HGATE и есть выход "помпы" - при полном включении там напряжение примерно на 10-15В выше входного. При "ненормальной" работе значительно меньше и с небольшой пилой (могу в понедельник посмотреть).

Вопрос был предельно чёткий — в какую конкретно точку схемы был воткнут один щуп, и в какую — другой, и какого конкретно прибора, в интересующем контексте, т.е. был ли в этот же момент измерен каким-либо другим прибором ток измерения основного.