Помощь - Поиск - Пользователи - Календарь
Полная версия этой страницы: надежность MRAM MR25H40
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Сборка РЭУ > Вопросы надежности и испытаний
kumle
Всем привет!
Собираемся использовать в проекте MRAM MR25H40 фирмы EVERSPIN http://www.everspin.com/family/mr25h40
В даташите написано unlimited write endurance.
Проект очень ответственный и планируется использовать в кач-ве буфера для хранения данных отправляемых по сети ethernet,
про бесконечное число записей что-то не верится, может кто проводил ресурсные испытания ?
Сам пока не делал так как плату только через месяц сделают.
Bulaev
Добрый день! Ну, у MRAM ресур конечно больше, чем у Flash, но всё равно не бесконечный. Деградация, прежде всего, заметна в динамических параметрах. Конкретно у этой микросхемы ресурсные испытания не проводили, но если интересно - можно договориться.
kumle
Тогда сам попробую испытать когда плата придет!
Отпишусь тогда здесь может кому пригодится
Sanyao
Вообще говорят что ячейка при операциях чтения-записи не "изнашивается", поэтому и число циклов бесконечно.
есть некоторые данные, например тут - заявлено количество циклов более, чем 10^15. А это довольно много, даже для буфера..
В любом случае, если решите испытывать, не забудьте про температуру wink.gif
wangan
а зачем проводить испытания, есть сомнения? и сколько по времени вы их будете проводить, любопытно, вы прикиньте и расскажите нам.
ZZZRF413
Цитата(kumle @ Sep 15 2015, 11:29) *
Тогда сам попробую испытать когда плата придет!
Отпишусь тогда здесь может кому пригодится


При цикле в 35 нс, на проведение 10^14 циклов у Вас уйдет ~ 40 дней.

А по теме мне например вот такая статья попалась...
http://www.everspin.com/sites/default/file..._MRAM_Study.pdf
wangan
Цитата(ZZZRF413 @ Oct 13 2015, 16:39) *
При цикле в 35 нс, на проведение 10^14 циклов у Вас уйдет ~ 40 дней.

А по теме мне например вот такая статья попалась...
http://www.everspin.com/sites/default/file..._MRAM_Study.pdf


в этом документе же написано

4.2 Endurance
MTJ-based MRAM has virtually unlimited program/erase/read endurance, meaning you can
write/read/erase the memory array virtually forever without degrading the MTJ’s ability to change or
maintain its bit state. Toggling the magnetic moment of the free SAF layer to change bit state is a
nondestructive process as charge transport does not occur, except for a small tunnel current across the
AlOx barrier. MRAM datasheets typically quote about 10^15 cycles for their endurance specification. This
is effectively unlimited endurance as it takes over 300 years to write just 100,000 addresses even 10^12
times (assuming 100 ns write-cycle time).
MRAMs are expected to have very high endurance and testing to date has demonstrated this. One of the
largest customers of MRAM is Siemens. Siemens uses Everspin MRAM in over 250,000 systems and has
reported zero field failures
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.
Invision Power Board © 2001-2025 Invision Power Services, Inc.