Добрый день.
В сабжевой NOR-флеш памяти указано время программирования страницы из 256 байтов в диапазоне 0,5 ... 5 мс.
От чего может зависеть этот параметр?
Индивидуален ли он для каждой микросхемы?
Изменяется ли со временем?

Вероятней всего это связано с работой внутреннего автомата стирания. Ячейка может не стерется за один раз из-за старения материала диэлектрика. Также при высокой температуре стирание проихсодит быстрее из-за более высоких энергий у электронов.

В младшей версии 25q128 время стирания существенно изменилось с выходом новой ревизии кристалла. Т.е. старые кристаллы 5мс. Новые в разы лучше. Может и тут так же. Одна дока на все ревизии?