Добрый день.
Подскажите пожалуйста, в какой программе можно оценить толщину скин слоя (или увидеть распределение тока или магнитного поля в объеме полупроводника) полупроводника или проводника с низкой проводимостью. К примеру, у меня есть брусок полупроводника 100х100 мкм. Я подвожу к нему с двух сторон на торцах через металлические пластины напряжение на частоте 3 ГГц и хочу получить распределение тока (или магнитного поля) в этом полупроводнике. По оценкам на бумаге толщина скин слоя должна быть 30 мкм. Пробовал считать эту задачу в CST, но эта программа не выводит поля внутри этого полупроводника - рисует ток по его периметру (т.е. толщина скин слоя=0), а в глубине - ничего нет, видимо, программа считает толщину скин слоя аналитически.

даладна!

https://www.cst.com/Applications/Article/Ed...Ring-Experiment

для расчета скин слоя, кажется, даже макрос есть

А нельзя ли по-подробнее? Почему-то у меня при уменьшении сетки никакого скин слоя не видно на 3D картинке (полупроводник выглядит как полая коробка с распределением тока на гранях). Может надо определенным солвером считать или в настройках что-то поменять? Макрос - это просто формула, а мне хочется распределение тока в объеме посмотреть.

Можно попробовать в AWRDE. На картинке распределение тока по толщине бруска 0.1Х0.1 мм из алюминия. Видно, что ток занимает около трети проводника, причём снизу, т.к. возбуждение делается снизу проводника. И это в пучности тока, величина которого изменяется по длине проводника в соответствии с длиной волны. Здесь длина проводника примерно равна длине волны и пучности тока на концах проводника. Я не знаю всех параметров Вашей структуры, взял проводник из алюминия, а параметры подложки по умолчанию. Вероятно можно попробовать и для полупроводника, если правильно определить все параметры. Можно посчитать и распределение поля, но это вероятно лучше сделать в Analyst.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

В AWRDE нет 3D моделирования, а мне нужно посмотреть фигуру не только в одной плоскости, например, элемент цепей согласования в корпусе транзистора.

Это верно и на картинке показано только довольно грубое приближение. Но 3D есть в Analyst и лучше это сделать там. В Analyst есть и библиотека 3-х мерных элементов, в которой имеются и проволочки для подключения. Кстати нарисовать можно в Axiem а для анализа вызывть Analyst.

Спасибо за совет, надо будет разобраться. Хотя странно, что в полноценных программах 3D моделирования, таких как CST и HFSS, скин слой простым способом увидеть не получается, а в AWRDE - вроде бы можно...

Тема интересная. Прослежу за обновлениями
Года три назад моделировал в CST микрополосок, и при "не_помню_как_называется" методе анализа вылазила картинка с интенсивностью распределения тока в проводнике.
Повторюсь, это было относительно давно и меня тогда не интересовала задача "нахождения" скин слоя (причем в зависимости от частоты). Но тем не менее, мне кажется, что такую задачу CST решить может.

http://rfic.eecs.berkeley.edu/~niknejad/pdf/mtt01.pdf
вот статья, может как нибудь поможет.

Распределение тока можно помотреть и в Sonnet. Я занимаюсь в основном планарыми структурами и о CST имею смутное представление. Если требуется промоделировать что-то объёмное, обращаюсь к коллеге, который работает с CST. Он говорит что всётаки можно просмотреть распределение токов и поля. Однако как это сделать он не разбирался, некогда, текучка заела .

Спасибо за статью.

По поводу скин слоя - в HFSS можно вывести распределение плотности тока в проводнике и исходя из него оценить толщину скин слоя, подсказали в теме "Вопросы по HFSS":
http://electronix.ru/forum/index.php?s=&am...t&p=1428266
Однако погрешность расчета - не ясна.
Также интересно сравнить результат с CST.

А можно усложнить задачу? Надо замоделировать распространение ЭМ волны в полупроводнике со слоем 2DEG (двумерный электронный газ). Толщина слоя соответсвенно нулевая (несколько деятков нанометров). Никакая сетка 3D симуляторов в жтот слой не попдадает.
Можно ли как-то симулировать это свзякой двух программ или надо что то специализированное писать самому?

Интересная задача. Мне недавно попались 2 статьи про вакуумный нанотранзистор, где канал транзистора - это вакуум (на сколько я понимаю это тоже связано с волнами в полупроводнике), но как его считают - не написано.
Для расчета полупроводника с 2DEG можно использовать Sentaurus TCAD, там с сеткой проблем не должно быть (если размеры структуры не будут относительно большими). Синусоиду на контакты вроде бы можно подавать. Можно смотреть распределение электронов в структуре.

Тоже смотрел в сторону продуктов TCAD, но они рассчитывают статическую картину по электрическим параметрам, а мне надо бегущую волну в транзистороной HEMT струкутре засимулировать, ну и в идеале усиление такой волны