Цитата(addi II @ Jun 15 2016, 20:48)

я имел ввиду микросхем СОЗУ
Да, про это буду иметь ввиду, когда в итоге пойму как считать, неужели просто емкости входов и выходов сравнить на равенство?
А частота здесь не имеет значение?
Например если у меня при этом 100 МГц b/s
Частота безусловно имеет значения, но в даташитах приводят данные на самые тяжелые условия для микросхемы, поэтому если чип рассчитан на 250МГц максимум, то именно для этой частоты указана максимальная емкость по выходу.
Если не указано, то как считать.
Считать просто. Формула Q = C*U=I*T , найдете в вики.
Допустим у нас 100Мbps, длительность импульса 10ns, фронты соответственно берем по 10% то есть по 1ns. Фронты rise 1ns, fall 1ns.
Емкость по выходу не должна "завалить" эти фронты, поэтому добавляем еще по 1ns с обоих сторон, при условии нагрузки максимальной емкости .
Импульс при этом должен иметь фронты rise 2ns, fall 2ns, и полезное "тело" 6ns.
Время заряда с 10% до 90% от напряжения перехода из 0 в 1 определяется по размаху напряжения для выбранного стандарта.
Если скажем это CMOS, то Vmax=3.3V, U=3.3*0.9-3.3*0.1=3.3*0.8= 2.7V.
Максимальная нагрузочная способность по току пина дается всегда. Типовое значение I=20mA max.
Условия для формулы есть U=2.7V, I = 20mA, t=1ns. Тогда максимальная емкость для данного выхода.
Cload max = I*T/C = 20mA*1ns/2.7V = 6pF.
Получилось маловато, ну тут есть два пути. Пожертвовать фронтами и сделать их по 3ns, или уменьшить напряжение, используя другой стандарт.
Скажем CMOS 1.8V или LVDS 0.75. Общий смысл надеюсь понятен.
http://inst.cs.berkeley.edu/~ee40/su06/lec...s/lecture16.pdfhttp://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee40/fa...e/lecture31.pdfhttp://www.edaboard.com/thread102711.html