Здравствуйте, помогите решить проблемку.

Есть микроконтроллер с RTC и отдельной ножкой их питания, на эту ножку на случай пропажи основного питания повешен ионистор. Ионистор запитан от основного питания через диод Шоттки PMEG4010EH. Эксперименты показали, что при токе потребления RTC 2 мкА ток утечки через диод составляет около 5 мкА (и это при комнатной температуре). Соответственно, большая часть накопленной энергии тратится непродуктивно.

Думаю заменить диод на PMLL4153, у которого ток утечки ~ 0.05 мкА, но гораздо больше падение напряжения, поэтому ионистор будет недозаряжаться. Плюс ток утечки диода растет при повышении температуры (устройство рассчитано на уличную эксплуатацию).

Подскажите, пожалуйста, выход из такой патовой ситуации. ТЗ - нужно обеспечить питанием RTC микроконтроллера (2 мкА) в течении 5 суток, основное питание 3.3 В, RTC работоспособен до 1.8 В.

если в лоб, уменьшить и ток утечки и падение, то - mosfet

На первый взгляд да, MOSFET. Но у ключевых мосфетов в обратном направлении стоит кто? Опять этот Шоттки.

MOSFET надо искать без диода внутри. Бывает такая экзотика, но не в силовой электронике.

Германиевые диоды давно сняты с производства, вот они как раз были бы незаменимы в этой ситуации.
Германий как полупроводник в силовой электронике забраковали по причине низкой температуры деградации.

Если питание сетевое, то реле подойдёт, может даже герконовое. Питание пропало - контакты разомкнулись.
Но не совсем в курсе, есть ли 3-Вольтовые реле, далёк от этого, так что сами ищите, если подходит принцип.

2 транзистора встречно

Всё равно будет утечка. Обычный PNP БТ в ключевом режиме наверно лучше подойдёт.
Но нужно искать слаботочный с максимальным коэффициентом усиления.
При отключении питания вывод микроконтроллера перейдёт в 3 состояние, транзистор закроется.
В таком случае утечка и падение будут минимальными. 3 варианта уже есть, есть ли 4-й?

Вариантов 2:
1 без изменения платы: менять тип и производителя диода шоттки. например bas40 от diodes по дш при напряжении 10в имеет утечку 7на при 25С и 200на при 75С. Учтите что тот же тип от другого производителя может иметь другую утечку.
2 ставить полевик но утечка у него сопоставимая, выигрыш в падении напряжения. Например bss84 Zero Gate Voltage Drain Current = 100na при 25V и 25C. Зависимость от температуры не приведена. Тут опять же надо брать строго определенного производителя потому что утечка для одного типа может существенно отличаться.

Я за вариант 1 потому что полевиком еще надо управлять.

Использовать в качестве диода подзатворный переход полевого транзистора а-ля КП307Ж, у которого утечки пикоамперные. Я так делал в подпитке для часов.

Да, спасибо; похоже, BAS40 неплохой вариант: прямое падение напряжения в конце заряда 0.35 В даже в мороз и ток утечки < 1 мкА даже в жару. Наверное, его и поставлю. Странно, что не нашел его при помощи параметрического поиска на mouser.


Тут, возможно, подойдет "нормальный" полевик (тот, что по "буржуински" не MOSFET, а JFET), но надо моделировать/макетировать.

Берите сильно выше — BAS116, а если под рукой нет соответствующего высокого для компенсации потери напряжения, то тупо делают помпу.