Здравствуйте!
Есть преобразователь с диодным мостом и емкостным фильтром на входе. Начальное сопротивление термистора определяется из максимального сетевого напряжения и уровня, на котором мы хотим ограничить пусковой ток. Как определить последний? Какой пиковый ток выдержат диоды моста, пока конденсатор заряжается, а термистор нагревается?

Абстрактные диоды выдержат абстрактный пусковой ток.
Или не выдержат.

А что насчет диодов 1N4007 и конденсатора 680 uF с 200 мОм ESR?

По документации диод выдерживает 30А пол синуса. За этот ток и базируйтесь.

А можно ли пересчитать ток для полуволны синуса в ток для экспоненты, чтобы поставить термистор с меньшим сопротивлением? Или кристалл может перегреться, если импульс тока будет слишком высоким и коротким?

Пусковые термисторы выбираются исходя из их теплоёмкости, достаточной для контролируемого заряда требуемой ёмкости — во всех паспортах это недвусмыленно указано в виде таблицы максимальной ёмкости нагрузки.

А зачем вам это нужно. Если производитель диодов пишет, что максимальный ток 30А, то ненужно его превышать.
Конечно можно пересчитать энергию выделяющуюся за пол синуса в экспоненту, но есть еще такое понятие как локальный перегрев.
Если вам нужны большие токи - берите другие диоды.
А вообще чем вас не устраивает термистор на 20 Ом.