Помогите разобраться.
Хочу вот такую мс использовать : MT45W8MW16BGX
Ранее с такими не приходилось сталкиваться.
Возникло несколько вопросов :
1. МС 16-ти битная, а мне нужно 8-ми.
Могу ли я соединить D7..0 c D15..8 соответственно , на вход LB# подать прямой а на UB# инверсный A0 чтобы получить 8-ми битную шину данных?
2. Правильно ли я понимаю что внутренние регистры BCR и RCR нужны только при синхронном режиме работы, а в асинхронном режиме их состояние до лампочки?
Если состояние default устраивает.
3. – 1.7–3.6V VCCQ и сноска 1 :
Notes: 1. The 3.6V I/O and the 133MHz clock frequency exceed the CellularRAM 1.5 Workgroup specification.
Что этим хотят сказать.
Полная версия этой страницы: CellularRAM
Цитата(zombi @ Nov 21 2016, 18:14) 
1. МС 16-ти битная, а мне нужно 8-ми.
Могу ли я соединить D7..0 c D15..8 соответственно , на вход LB# подать прямой а на UB# инверсный A0 чтобы получить 8-ми битную шину данных?
Могу ли я соединить D7..0 c D15..8 соответственно , на вход LB# подать прямой а на UB# инверсный A0 чтобы получить 8-ми битную шину данных?
Сначала подумал что да, обычно так и делалось. Но смущает вот эта фраза:
Цитата
LB# and UB# must be LOW during READ cycles.
(стр.16).Т.е байтовую ЗАПИСЬ оно поддерживает, а вот ЧТЕНИЕ должно быть 16-битным?..хотя возможно просто очепятка.
Скорее всего что работать как 8-битная на чтение не будет.
На сайте есть модель памяти на verilog.
https://www.micron.com/parts/psram/cellular...8mw16bgx-701-it
если посмотреть код, то там явно указано, что для поколения выше CellularRAM 1.0 режим чтения с раздельными LB/UB не поддерживается.
т.е. при чтении LB/UB должны быть оба 0.
В симуляторе код не крутил.
На сайте есть модель памяти на verilog.
https://www.micron.com/parts/psram/cellular...8mw16bgx-701-it
если посмотреть код, то там явно указано, что для поколения выше CellularRAM 1.0 режим чтения с раздельными LB/UB не поддерживается.
т.е. при чтении LB/UB должны быть оба 0.
CODE
...
parameter BY_BITS = 2;
parameter CR10 = 2'b01;
parameter CR15 = 2'b10;
parameter CR20 = 2'b11;
parameter GENERATION = 2'b10; // DIDR[7:5] = CR1.5
...
if ((GENERATION > CR10) && (by_n !== {BY_BITS{1'b0}}))
$display ("%t ERROR: Async - BY# must be LOW during READ cycles.", $realtime);
parameter BY_BITS = 2;
parameter CR10 = 2'b01;
parameter CR15 = 2'b10;
parameter CR20 = 2'b11;
parameter GENERATION = 2'b10; // DIDR[7:5] = CR1.5
...
if ((GENERATION > CR10) && (by_n !== {BY_BITS{1'b0}}))
$display ("%t ERROR: Async - BY# must be LOW during READ cycles.", $realtime);
В симуляторе код не крутил.
Цитата(jks @ Nov 22 2016, 12:52)
для поколения выше CellularRAM 1.0 режим чтения с раздельными LB/UB не поддерживается.
Спасибо. Вы правы.
Нашел даже документ у MICRON где об этом говорят.
TN-45-01: CellularRAM 1.0 and 1.5 Functional Differences Introduction
Печально.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.