Всем привет!

Для модуляции маломощного лазерного диода решил попробовать схему каскодного источника тока.
Параметры модуляции: меандр 2 МГц, амплитуда 0-3,3 В, выход -- ножка МК.
Параметры лазера: излучаемая мощность 50 мВт, пороговый ток 15-25 мА, рабочий ток 75-85 мА, рабочее напряжение 1,8-2,4 В.

Какие могут быть проблемы с этой схемой?



Спасибо за внимание

Работать-то будет, но как.
Начальный/пороговый ток вы как-то обеспечиваете,
а вот размах, чем он у вас определяется.
И смещение на базе каскада ОБ ниже нужно, иначе
каскад будет входить в насыщение.

Вы правы, пороговый ток я как раз обеспечиваю смещением, которое я считал так:
если на входе у меня размах 3,3 В, то на эмиттере примерно 2,7 В, значит, чтобы нижний транзистор как раз был на границе насыщения, надо чтобы на его коллекторе было около 3 В. Отсюда смещение на верхний транзистор 3,6 В.

Да, согласен, он будет входить в насыщение, этого я не учёл, т.к. падение на ЛД приведёт к напряжению на его коллекторе ниже напряжения на базе. Вывод: нужно либо повысить напряжение питания, либо уменьшить эмиттерный резистор, но он и так уже очень маленький, это может к нестабильности смещения привести (хотя тут даже ток покоя довольно существенный, так что может и не приведёт).

Меня волнует вопрос, насколько сильно входной сигнал будет влиять на верхний транзистор через цепь смещения и как это подсчитать.

Можно же смещение и от отдельного делителя сделать.
А я бы сделал вот так

С номиналом нижнего генератора немного наврал, он конечно должен быть меньше
на величину тока начального смещения.

Спасибо за совет, попробую по Вашей схеме работать. Генераторы подойдут простые, типа эмиттерного повторителя? Или нужно что-то посерьёзнее. Точность установки тока меня в текущей задаче не интересует, главное хорошие фронты меандра.

А это как?
А чем собираетесь смотреть фронты, есть у вас скоростной фотоприемник?
Какой у вас ЛД?

Вы указали источники тока на схеме, если я их просто на эмиттерном повторителе выполню, такой вариант подойдёт?

Я планирую смотреть фронты тока в цепи лазера
ЛД ноунеймовый с алиэкспресс 850 нм, 50 мВт, называется HLD850050N5T

Чтобы не было влияния входного сигнала через цепь смещения на верхний транзистор обычно шунтируют его базу по переменному току, ставят емкость в цепь базы верхнего транзистора каскода.

Спасибо за ответ, позвольте уточнить, ёмкость напрямую ставят между базой и эмиттером? Или можно шунтировать верхнее и среднее плечо делителя?

Емкость между базой верхнего транзистора и общей точкой (GND).

Спасибо, буду знать)