Рекомендуемая сборка ESD диодов для SIM800C - ESDA6V1-5W6. В характеристиках Breakdown voltage 6,1-7,2В при 1мА. В характеристиках SP1001-04JTG, не указано напряжение Breakdown voltage.
Но указан ток Reverse Voltage Drop в 1ма при 6-8,5В. Для SP1001-04JTG указано напряжение Clamping voltage, для ESDA6V1-5W6 нет.
Подойдет ли сборка SP1001-04JTG для защиты интерфейса SIM card, SIM800C? SP1001-04JTG примечательна, тем что, емкость диода 12пФ. против 50пФ у ESDA6V1-5W6.
Если сим карты, на 5В, нет, почему рекомендуют применять ESD диоды с напряжение срабатывания 6,1-7,2В?

Да любые годятся с емкостью не более оговоренной (50 пФ)
А напряжение 6,1-7,2В рекомендуют потому, что это минимальное напряжение, на которое получается делать трансилы.
Технологически не получается, ВАХ выходит очень пологой, почти без перегиба.