Для биполярника BFR380F приведены два максимальных напряжения коллектор-эмиттер - Vceo и Vces. Vceo = 6 В а Vces = 15 В - разница более чем в 2 раза. Не могу понять в чем разница между этими напряжениями и какое максимальное напряжение можно подавать на коллектор в схеме с общим эмиттером?

V(BR)CEO (formerly BVCEO) - breakdown voltage, collector-emitter, base open

V(BR)CES (formerly BVCES) - breakdown voltage, collector-emitter, base short-circuited to emitter

Спасибо, Maksa.

Не могу теперь понять какое напряжение к какому случаю применимо.
В ключевом режиме работы по схеме с ОЭ база, либо подтягивается к эмиттеру (земле), либо на ней падает 0,8 - 1 В от протекания тока базы - то есть вроде бы ХХ нет.
В режиме усилителя классов А и АВ также собранных по схеме ОЭ (наверное самые распространенные режимы усилителей) база смещена по постоянному току и на ней падает постоянное напряжение 0,6 - 0,8 В и при протекании через базу переменного тока напряжение на базе будет изменяться на несколько десятых долей вольта в одну и другую сторону.
То есть вроде бы режима ХХ на базе нет в указанных применениях.
Какое максимальное напряжение К-Э можно прикладывать к транзистору по схеме с ОЭ?
Конечно, можно принять максимальным напряжение К-Э 6 В и в большинстве приложений этого будет достаточно, но для других транзисторов Vceo может оказаться совсем малым. Например, для BFP620F оно равно всего лишь 2,3 В.
Надежной ли будет схема усилителя на BFR380F с питанием 5 В и смещением 4 В (с точки зрения максимального напряжения)?

ну вроде бы написано, 15 В, максимальное питание ключа, когда ломается пн переход.
6В - определяется максимальным током нагрузки и ВАХ по даташиту.

Напряжение питания и максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер - это два разных понятия. И я бы рекомендовал Вам для начала определиться с этим.
Если нет времени вдаваться в теорию, то надёжным вариантом является использование напряжения питания из даташита. Для BFR380 это Vce=3 V, хотя там же написано Collector design supports 5 V supply voltage.

Всегда считал, что в ключевом режиме при размыкании "ключа" база "потягивается" не то, чтобы к эмиттеру, а случае NPN транзистора на ней даже должен присутствовать отрицательный потенциал. Т.е. эмиттерный переход должен быть обратно смещён.

Напряжение питания в 5 В, по-видимому, является верхним допустимым пределом. Поэтому при Vce=5 V необходимо более тщательно подойти к анализу тепловых режимов работы и учету перенапряжений коллектор-эммитер транзистора при работе на допустимую рассогласованную нагрузку. Тоже относится и к выбору рабочей точки, т.е. тока коллектора в режиме покоя.
Насчет смещения в 4 В ничего не понял.

Напряжение коллектор-эмиттер - это напряжение питания минус падение напряжения на коллекторном резисторе и на эмиттерном резисторе (если он есть). Это я понимаю.
Очень часто в ключевом режиме транзистор просто к земле подтягивают.
Допустим, что ток смещения коллектора равен 10 мА и даже при напряжении коллектор-эмиттер равном 6 В транзистору далеко до перегрева. Какое максимальное напряжение смещения коллектор-эмиттер, а также напряжение питания можно подавать на транзистор?
Вообщем вопрос так и остался открытым - для каких случаев (или для каких схем) указано напряжение Vces = 15 В?

К сожалению это совсем не так для СВЧ-транзистора в усилителе. См. типовую схему включения транзистора:
https://www.infineon.com/dgdl/AN075.pdf?fil...11426c57e8d068a. Здесь по факту нет подтягивающих коллекторных резисторов, привычных для НЧ схемотехники.
В СВЧ усилителе при номинальной выходной мощности максимум напряжения Uкэ равен приблизительно 2*Uпит. И может отклоняться от этого значения значения как в меньшую, так и большую сторону. Зависит от импеданса нагрузки (включая гармоники) и характеристик самого транзистора.

В схемах с низким быстродействием так и делают, но там где нужны большие скорости переключения, эмиттерный переход смещают в обратном направлении. Это позволяет уменьшить время закрывания транзистора из-за разрядки бОльшим током заряда, накопленного в базе.

В даташите измерение выходной мощности, коэф. усиления и др. приводят при токе 40 мА. Так что на 6 В питания это уже 240 мВт в покое и до перегрева в таком корпусе не очень далеко (тут ещё важно знать общее тепловое сопротивление). А какая мощность будет рассеиваться на переходе транзистора под СВЧ сигналом - это уже зависит от конкретного случая.

Если коллектор транзистора нагружен на достаточно большой подтягивающий резистор, который ограничивает ток и мощность в соответствии с ОБР, а база подключена к источнику с выходным сопротивлением, не превышающем 10-100 Ом, то можно подавать хоть 15 В питания.

Это напряжение - есть граница допустимых режимов эксплуатации транзистора. Уже выше писали, что это такое.