Очень хочется самому разобраться с моделированием в TCAD, но поскольку накатывает срочность, возможно, целесообразно ускорить некоторые этапы этого процесса.
Задача по моделированию.
Материал - кремний.
Моделируемый прибор - простой планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор.
По описанию последовательности технологических процессов (тип вводимой примеси, сопротивление слоя, доза и энергия ионной имплантации, температуры и среды разгонки, необходимо смоделировать прибор в 1D и 3D вариантах.
Построить график распределения диффундирующих примесей по глубине (простейший 1D вариант), а затем эти же распределения реализовать в 3D структуре с простой топологией, после чего построить вольт-амперные характеристики прибора (в т.ч. пробивные всех p-n переходов, коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером).
Если опытный пользователь TCAD согласится принять участие в проекте, об остальном договоримся.
Или кто подскажет, как запустить в действие TCAD, если я только что скачал «Sentaurus TCAD 2012 SP2 G-2012.06 SP2 на VMWare» и новая«VMWare»?
С чего начать, кто посоветует?
О только что скачанной версии читаем после распаковки в readme:
RedHat Linux Enterprise Linux 5 Update 5 x86
root/123456
Created via VMWare Workstation 7.1.2
Label: rh5u5_x86_gold_v1
Всего 10 Гб.
То же самое содержится в readme версии, скачанной несколько лет назад
==============================
А также есть новая виртуальная машина VMware:
VMware Workstation v10.0.1 Build 1379776 Final Eng_Rus
Как это всё запустить в работу?