Полная версия этой страницы: Cгорели микрофонные входы SIM800C
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Интерфейсы > Форумы по интерфейсам > Сотовая связь и ее приложения
Микрофон находится на расстоянии около 5 м от модуля. Во время грозы сгорел микрофон и входы модуля. В даташите упоминается параметр Microphone biasing voltage до 2,2V. К сожалению, не понял. Прошу посоветовать что-нибудь для защиты входов. Пока сигнал от микрофона подаю через резисторы по 3К, а на сами входы SIM800C повесил стабилитроны 3V3.
Там же ESD диоды должны стоять либо TVS
>>>Микрофон находится на расстоянии около 5 м от модуля.
Я бы в таком случае еще и отвязывал его при помощи низкоомного трансформатора - типа такого http://microchip.ua/fuan/transformer/faat1301s.pdf
Легче с помехами бороться когда вход на низкоомной нагрузке. Да и убиваемость понижается.
Ну и естественно даташиты не дочитываем или игнорируем - ибо там рекомендации по ESD защите имеются.
Я бы в таком случае еще и отвязывал его при помощи низкоомного трансформатора - типа такого http://microchip.ua/fuan/transformer/faat1301s.pdf
Легче с помехами бороться когда вход на низкоомной нагрузке. Да и убиваемость понижается.
Ну и естественно даташиты не дочитываем или игнорируем - ибо там рекомендации по ESD защите имеются.
Цитата(Mysteo @ Sep 6 2017, 10:23) 
Там же ESD диоды должны стоять либо TVS
TVS стоят SMAJ5.0A.
Цитата(CADiLO @ Sep 6 2017, 10:33)
>>>Микрофон находится на расстоянии около 5 м от модуля.
Я бы в таком случае еще и отвязывал его при помощи низкоомного трансформатора - типа такого http://microchip.ua/fuan/transformer/faat1301s.pdf
Легче с помехами бороться когда вход на низкоомной нагрузке. Да и убиваемость понижается.
Ну и естественно даташиты не дочитываем или игнорируем - ибо там рекомендации по ESD защите имеются.
Я бы в таком случае еще и отвязывал его при помощи низкоомного трансформатора - типа такого http://microchip.ua/fuan/transformer/faat1301s.pdf
Легче с помехами бороться когда вход на низкоомной нагрузке. Да и убиваемость понижается.
Ну и естественно даташиты не дочитываем или игнорируем - ибо там рекомендации по ESD защите имеются.
Ещё раз почитал...не нашёл указания на конкретные номиналы ESD.
А никто и не говорит что это будет в даташите на модуль. Там просто на схеме указано что требуются ESD элементы, а уж какие применить определяется вашими знаниями и предпочтениями.
В инете более чем достаточно апнотесов, теоретических и практических мануалов.
Для ленивых, но сообразительных, можно порекомендовать найти схему любой мобилки, на том же чипсете что и модуль, и содрать оттуда готовое решение по ESD.
В конце концов посоветоваться в форуме выложив кусок схемы на обсуждение.
В инете более чем достаточно апнотесов, теоретических и практических мануалов.
Для ленивых, но сообразительных, можно порекомендовать найти схему любой мобилки, на том же чипсете что и модуль, и содрать оттуда готовое решение по ESD.
В конце концов посоветоваться в форуме выложив кусок схемы на обсуждение.
А после того, как прототип устройства физически изготовлен, пройдите тесты на ESD.
Очень часто для тех, кто с этим сталкивается первый раз, наступает сильное разочарование - то, что указано в даташитах, не сильно коррелируется с полученными результатами.
Вот тут уже будет "рулить" опыт.
И еще - не жалейте земли в схемах защиты, помните, что через нее пойдут в момент разряда все токи. По стандартам импульс тока может достигать 30А - дайте ему возможность стечь.
Очень часто для тех, кто с этим сталкивается первый раз, наступает сильное разочарование - то, что указано в даташитах, не сильно коррелируется с полученными результатами.
Вот тут уже будет "рулить" опыт.
И еще - не жалейте земли в схемах защиты, помните, что через нее пойдут в момент разряда все токи. По стандартам импульс тока может достигать 30А - дайте ему возможность стечь.
Цитата(Владимир О. @ Sep 8 2017, 10:54)
А после того, как прототип устройства физически изготовлен, пройдите тесты на ESD.
Очень часто для тех, кто с этим сталкивается первый раз, наступает сильное разочарование - то, что указано в даташитах, не сильно коррелируется с полученными результатами.
Вот тут уже будет "рулить" опыт.
И еще - не жалейте земли в схемах защиты, помните, что через нее пойдут в момент разряда все токи. По стандартам импульс тока может достигать 30А - дайте ему возможность стечь.
Очень часто для тех, кто с этим сталкивается первый раз, наступает сильное разочарование - то, что указано в даташитах, не сильно коррелируется с полученными результатами.
Вот тут уже будет "рулить" опыт.
И еще - не жалейте земли в схемах защиты, помните, что через нее пойдут в момент разряда все токи. По стандартам импульс тока может достигать 30А - дайте ему возможность стечь.
Владимир, спасибо! И всё-таки какое напряжение может выдержать микрофонный вход: 3V, 2V8, 2V2? В моём случае 7V оказалось достаточным для повреждения.
Посмотрите документ схема аудиовхода для SIM 900, там через конденсаторы подключается.
Для SIM 800 видимо также подойдет.
http://ec-mobile.ru/dokumentac/simcom/
Для SIM 800 видимо также подойдет.
http://ec-mobile.ru/dokumentac/simcom/
Примерно так и было сделано. Сейчас поставил TVS и резисторы с таким расчётом, чтобы входящий ток на входах MIC от скачка был не более 1-2 ма.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.