Возьмём к примеру BGA с шагом 0.8
Вариант первый - во внутреннем слое используем полигон для организации земли или питания. Смотрим у резонита, например, зазор площадка-огибающий полигон на внутренних слоях 0,200 до 0,150. Будем использовать минимальный виас 0.2 - 0.4, в итоге получается 0.8 - 0.4 - 0.15*2 = 0.1 - это металл полигона между виасами не относящимися к питанию.
Вариант второй - используем плейн. При использовании плейна поясок виаса в данном слое 'пропадает' (но сами мы его не трогали, если посмотреть свойства виас то он там есть). Я правильно понимаю?
Если так то - смотрим у того же производителя - зазор металлизированное отверстие без площадки-проводник/полигон на внутренних слоях 0,35 до 0,250.
0.8 - 0.2 - 0.25*2 = 0.1 - те же 0.1 мм
Понятно что это в только в самом узком месте, но всё же не мало ли ? Или я что то не так понимаю ?
Кто что чаще использует полигоны или плейны и почему (рассматриваем тот случай когда не предполагается кроме, например, питания проводить сигнальные линии)?

Так они же не сплошными полями идут, земли и питания в микросхеме. Плоскость вокруг обойдет, доберется до переходного отверстия.

Резонит и BGA 0.8 вещи не совместимые. У них минимальный антипад 0.7, а минимальная ширина меди 0.15, из чего шаг 0.8 выпадает как класс.
И неважно как Вы будете организовывать свои гербера, зазор от отверстия до меди это константа, как в анекдоте с какой стороны ни зайди все одно.
Все что Вы можете сделать это либо сменить производителя, но даже самый лучший не даст Вам диаметр антипада менее 0.56 для 0.2,
либо организовать переходные таким образом, чтобы запитать чип с какой то одной стороны за счет отсутствия этих переходных.
Обычно производители чипов дают рекомендованные layout и они как раз под возможности Резонита.